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ACT英國晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振

頻率：32~60MHZ

尺寸：1.2*1.0mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-27837162

ACT與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為貼片石英晶振，TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
ACT英國晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振，無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本無源晶振，ACT晶振的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

ACT英國晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振，貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體振蕩器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領(lǐng)域,小型,薄型是對應(yīng)陶瓷振蕩器(偏差大)和普通的石英晶體振蕩器(偏差小)的中間領(lǐng)域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導(dǎo)航SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。 ACT英國晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振.

Parameters		Specification	Remarks
Frequency	F_nom	32.0MHz ~ 60.0MHz	AT cut, Fundamental
Frequency tolerance	F_tol	±10.0ppm ~ ±50.0ppm	@ 25°C
Frequency stability over operating temperature range	F_stb	±10.0ppm ~ ±50.0ppm	Table 2
Operating temperature range	T_use	‐10°C ~ +60°C, 20°C ~ +70°C , ‐30°C ~ +85°C,	Table 2
Storage temperature	T_stg	‐40°C ~ 85°C
Load capacitance	CL	7.0pF ~ 12.0pF
Equivalent series resistance	ESR	Table 1
Shunt capacitance	C0	3.0pF max
Drive level	DL	50μW max
Frequency aging	F_age	±2.0ppm	@ 25°C, 1?? Year
Moisture sensitivity level	MSL	1 (unlimited)
Electrostatic discharge	ESD	Not applicable
Insulation resistance	IR	500MΩ min	@ 100V DC

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）ACT英國晶振,1210SMX-4低損耗晶振,CAS2000GKLGOL‐PF[20.000MHz]晶振.
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。