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ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振

頻率：8~54MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本無源晶振，艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振，智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Parameters			Specification	Remarks
Frequency range		F_nom	8.00MHz ~ 54.00MHz	Fundamental
Frequency tolerance		F_tol	±10.0ppm
Frequency stability over operating temperature range		F_stb	±10.0ppm	Over ‐30°C ~ +85°C
Frequency aging		F_age	±1.0ppm	At 25°C, 1?? Year
Operating temperature range		T_use	‐40°C ~ +85°C
Storage temperature		T_stg	‐55°C ~ +125°C
Load capacitance		CL	8.0pF ~ 30.0pF, series
Equivalent series resistance	8.0 ~ 9.999MHz	ESR	120Ω max
	10.0 ~ 11.999MHz		80Ω max
	12.0 ~ 23.999MHz		50Ω max
	24.0 ~ 54.000MHz		30Ω max
Shunt capacitance		C0	7.0pF max
Drive level		DL	300μW max	100μW typical
Moisture sensitivity level		MSL	1 (unlimited)
Insulation resistance		IR	500MΩ min	At 100V DC

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。 ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振.
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。