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ACT英國(guó)晶振,90H32時(shí)鐘振蕩器,HC00003BBIHEPL-PF[32.768kHz]有源晶振

頻率：32.768kHz,10.0kHz~100.0kHz

尺寸：3.2*2.5mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體振蕩器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷振蕩器外殼更好的耐沖擊性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

ACT英國(guó)晶振,90H32時(shí)鐘振蕩器,HC00003BBIHEPL-PF[32.768kHz]有源晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO有源晶振和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

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貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Parameters		Specification	Remarks
Frequency range	F_nom	32.768kHz, 10.0kHz ~ 100.0kHz
Supply voltage	Vcc	1.8V, 2.5V, 3.3V	±10% tolerance, 5.0V available with only frequency 32.768kHz
Supply voltage vs Frequency sensitivity		±1.0ppm max
Frequency stability	F_stb	±25.0ppm, ±50.0ppm , ±100.0ppm
Aging	F_age	±3.0ppm max for 1?? year	Thereafter ±2.0ppm max/per year
Operating temperature range (°C)	Topr	‐10°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C
Storage temperature (°C)	Tstg	‐55°C ~ +125°C
Output waveform		HCMOS
Output load		15pF typical
Output voltage high	Voh	90% Vcc min
Output voltage low	Voh	10% Vcc max
Rise time	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Fall time Tf Table 1	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Duty cycle		45%/55%
Current consumption	Icc	Table 1
Start‐up time	T_str	5.0msec max, 0.8msec typical
Tristate		Pad 1 enable high
Enable/disable time		Enable : 1msec max ; Disable : 0.1μsec max
Moisture sensitive level	MSL	1
ESD sensitive device		Yes

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。ACT英國(guó)晶振,90H32時(shí)鐘振蕩器,HC00003BBIHEPL-PF[32.768kHz]有源晶振.
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。