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ACT英國(guó)晶振,9213LPJ時(shí)鐘振蕩器,RLR2600BBISMPL-PF[26MHz]晶振

頻率：13.5~200MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

ACT英國(guó)晶振,9213LPJ時(shí)鐘振蕩器,RLR2600BBISMPL-PF[26MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無(wú)論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過(guò)程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

5032mm體積的石英晶體振蕩器,有源晶振,該產(chǎn)品可驅(qū)動(dòng)2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)自動(dòng)焊接,及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng)),為無(wú)鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無(wú)線發(fā)射基站.

ACT英國(guó)晶振,9213LPJ時(shí)鐘振蕩器,RLR2600BBISMPL-PF[26MHz]晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Parameters		Specification	Remarks
Frequency range	F_nom	13.5MHz ~ 200.0MHz
Supply voltage	Vcc	2.5V, 3.3V	±5% tolerance
Frequency stability	F_stb	±25.0ppm, ±50.0ppm , ±100.0ppm	Includes intial tolerance, stability over temperature, Load, Vcc
Aging	F_age	±3.0ppm max	For 1?? year
Operating temperature range (°C)	Topr	‐10°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C
Storage temperature (°C)	Tstg	‐55°C ~ +150°C
Output waveform		LVPECL, LVDS, HCSL
Output load		Table 1
Output voltage high	Voh	Table 1
Output voltage low	Voh	Table 1
Rise time	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Fall time	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Duty cycle		40%/60%, 45%/55%
Current consumption	Icc	LVPECL : 30.0mA typical ; 50.0mA max
		LVDS : 16 mA typical ; 27mA max
		HCSL : 30.0mA typical ; 50.0mA Max
Start‐up time	T_str	1.0msec max, 5.0msec typical
Tristate		Pad 1
Phase noise		Table 2
Phase jitter (RMS)		0.2ps typical ; 0.5ps max for 156.250MHz,3.3V 12kHz to 20MHz integated
Enable/disable time		Enable : 1msec max ; Disable : 0.1μsec max
Moisture sensitive level	MSL	1
ESD sensitive device		Yes

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。 ACT英國(guó)晶振,9213LPJ時(shí)鐘振蕩器,RLR2600BBISMPL-PF[26MHz]晶振.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。