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TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振

頻率：12~800MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振， ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，差分晶振，TCXO溫補(bǔ)晶體振蕩器和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí)，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振，小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。

Parameters

Specification

Remarks

Frequency range

F_nom

12.0MHz ~ 800.0MHz

Supply voltage

Vcc

3.3V

Initial frequency tolerance

F_tol

<±2.0ppm

At +25°C±2°C

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±1.0ppm ~ ±5.0ppm

Table 1

vs Load

F_load

±0.3ppm max

±10% load condition change

vs Voltage

F_Vcc

±0.3ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

±1.0ppm/year max

At +25°C

vs Reflow

±1.0ppm/year max

1 reflow and measured after 24hrs

Operating temperature range (°C)

Topr

0°C ~ +50°C to ‐40°C ~ +85°C

Table 1

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +125°C

Output waveform / Output load

LVDS square wave/50? from each load

Output voltage high

Voh

1.4V typical ; 1.6V min

Output voltage low

Vol

0.9V min ; 1.1V max

Output differential voltage

Vod

247mV min ; 355mV typical ; 454mV max

Output 1 ‐ Output 2

Output differential voltage error

Dvod

‐50mV min ; 50mV max

Output offset voltage

Vos

1.125V min ; 1.2V typical ; 1.375V max

Output offset magnitude error

Dvos

0mV min ; 3mV typical ; 25mV max

Current consumption

Icc

12~24MHz : 33mA max ; 24~96MHz : 50mA

Max current measured with load

96~700MHz : 85mA

Rise and fall time

Tr, Tf

1.5ns max

20% to 80% of wave form.

Duty cycle

SYM

45%/55%

Measured at 1.25V

Start‐ up time

T_str

5.0m sec (typical), 10.0m sec. (Max)

Reach 90% amplitude at +25°C±2°C

Phase jitter (RMS) (12kHz to 20MHz)

2.6ps (typical) , 4.0ps (max)

For frequency 155.520MHz

Tristate

Pin 2

VC‐TCXO option only

Control voltage

1.5V ± 1.0V

Frequency tuning (ppm)

±5.0ppm min

Linearity/Slope polarity

6.0% typical;10%max/Positive slope

Positive voltage for positive frequency shift

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）TDLV75差分晶振,ACT有源振蕩器,TLV752000MBXNKXXHL-PF[20MHz]晶振.
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞進(jìn)口有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。