MtronPTI Company的石英水晶組件，頻率控制元器件產(chǎn)品每年大量的出口到國(guó)外，是MtronPTI晶振公司比較盈利的項(xiàng)目，主要銷(xiāo)售到亞洲，歐洲和北美洲等地。從1965年研發(fā)并生產(chǎn)用于無(wú)線電和雷達(dá)的石英晶體諧振器，1980年成功設(shè)計(jì)出可用于軍事設(shè)備的小型石英晶體振蕩器。從業(yè)50多年來(lái)，MTRONPTI晶振公司已積累和創(chuàng)新出許多晶振技術(shù)和資料，尤其是石英晶振制造工程，生產(chǎn)線，質(zhì)量檢驗(yàn)，原材料控制，海外運(yùn)輸，處理，保存，加工工藝等方面，有自己一套行事規(guī)則。

加工注意事項(xiàng)：

1.注意設(shè)備包裝上的所有制造商“警告標(biāo)簽”。

2.對(duì)于給定的石英晶振，請(qǐng)勿超過(guò)建議的回流溫度曲線。如果不這樣做，可能會(huì)導(dǎo)致設(shè)備永久損壞或超出規(guī)格。有關(guān)推薦的回流條件，請(qǐng)參見(jiàn)具體的MtronPTI產(chǎn)品數(shù)據(jù)表。

3.如果在產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中指定了“僅手動(dòng)焊料”，則不要將石英基器件暴露在高溫回流溫度下。

4.不要將任何引線焊接到石英基器件的外殼上，過(guò)多的熱量可能會(huì)損壞器件。

5.不要對(duì)石英基器件使用超聲波清洗。

6.除非有合適的工具，否則不要進(jìn)行鉛切割或成型操作。如果不這樣做，可能會(huì)導(dǎo)致晶體或石英晶體振蕩器引線周?chē)牟Ａ?/span>-金屬密封破裂或破裂，并可能導(dǎo)致密封性喪失。

7.在拾取和放入插座或PCB孔時(shí)，請(qǐng)勿強(qiáng)行拉緊或拉緊設(shè)備的引線。

8.在將器件拾放到PCB組件上時(shí)，請(qǐng)勿過(guò)分用力。

9.使用清潔工藝，確保焊接或清洗過(guò)程中沒(méi)有殘留材料在晶體引線上顯示出低阻抗路徑。如果晶體引線在引線上具有低（>10K歐姆）電阻路徑，則音叉（32.768kHz）晶體特別容易出現(xiàn)啟動(dòng)問(wèn)題。

10.一些基于石英水晶振動(dòng)子封裝是非密封的，并且不遵守“無(wú)清洗”建議可能導(dǎo)致?lián)p壞或不合規(guī)格的器件。請(qǐng)參閱產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中的特定信息。

機(jī)械沖擊和振動(dòng)：

1.在運(yùn)輸石英基器件時(shí)，重要的是通過(guò)在合適的載體或其他包裝中運(yùn)輸器件來(lái)最小化電擊，以避免器件與器件的接觸。丟棄的載體或卷軸應(yīng)視為“可能已損壞”，不應(yīng)使用。

2.如果從超過(guò)18英寸的表面落到堅(jiān)硬的表面上，所有石英晶體諧振器都應(yīng)被視為“可能已損壞”。

不要將晶振裝置暴露在超出規(guī)定限值的沖擊或振動(dòng)水平。

ESD靈敏度：

石英振蕩器和定時(shí)模塊都包含有源電子電路，并且被認(rèn)為是ESD敏感的。處理這些設(shè)備的人員應(yīng)在靜態(tài)安全工作站使用接地腕帶或腳跟帶。部件應(yīng)僅放置在接地導(dǎo)電表面上，并且ESD保護(hù)包裝必須在運(yùn)輸或運(yùn)輸設(shè)備時(shí)使用。

存儲(chǔ)：

在短期儲(chǔ)存期間，不要超過(guò)石英設(shè)備的建議儲(chǔ)存溫度和濕度限制。晶體，進(jìn)口晶體振蕩器和其他石英定時(shí)模塊的長(zhǎng)期存儲(chǔ)應(yīng)在提供的包裝中在不超過(guò)30°C和60％RH（相對(duì)濕度）的受控條件下進(jìn)行。在這些條件下儲(chǔ)存產(chǎn)品可確保持續(xù)接受電氣和機(jī)械特性，如頻率，老化和可焊性。為獲得最佳可焊性，建議在收到產(chǎn)品后的12個(gè)月內(nèi)使用。

通過(guò)以上MTRONPTI麥特倫皮晶振公司提供的資料，相信可以幫助各大工廠如何正確的使用，保存和加工晶振。我們都知道晶體是一種比較脆弱的電子元器件，而且非常精細(xì)，制造過(guò)程中，或外面環(huán)境因素都有可能導(dǎo)致其產(chǎn)生不良，故障，不起振，偏差等情況。因此在使用的時(shí)候要盡量小心，盡量不要用手去接觸，尤其是當(dāng)手上有水，汗，濕潤(rùn)或其他雜質(zhì)時(shí)，不能去觸碰晶體。保存環(huán)境要符合陰涼干燥要求，不能暴露在陽(yáng)光或其他熱源下。