手機(jī)版
bliley晶振CMOS與LVCMOS如何選擇
bliley晶振CMOS與LVCMOS如何選擇
在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代,電子設(shè)備無(wú)處不在,從我們?nèi)粘Ｊ褂玫闹悄苁謾C(jī),電腦,到工業(yè)領(lǐng)域的精密儀器,通信基站,晶振都扮演著至關(guān)重要的角色.晶振,全稱晶體振蕩器,就如同電子設(shè)備的"心臟起搏器",通過(guò)石英晶體的壓電效應(yīng)產(chǎn)生穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),為設(shè)備中的各種芯片和電路提供精準(zhǔn)的時(shí)間基準(zhǔn),協(xié)調(diào)它們的工作節(jié)奏,確保整個(gè)系統(tǒng)有條不紊地運(yùn)行.如果晶振出現(xiàn)故障或性能不佳,電子設(shè)備可能會(huì)出現(xiàn)運(yùn)行不穩(wěn)定,數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤甚至無(wú)法正常工作等問題.當(dāng)我們?cè)跒殡娮釉O(shè)備選擇晶振時(shí),常常會(huì)面臨一個(gè)難題:在眾多的晶振類型中,如何挑選出最適合的那一款？以Bliley晶振為例,CMOS和LVCMOS輸出晶振就是很多工程師在選型時(shí)容易糾結(jié)的兩款產(chǎn)品.它們看似相似,卻在性能,應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在諸多差異.接下來(lái),讓我們深入了解一下這兩款晶振,以便在選擇時(shí)能夠做出更明智的決策.CMOS晶振的工作原理與特性,CMOS晶振,即互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶振,其工作原理基于電壓控制.通過(guò)在晶體兩端施加電壓,利用石英晶體的壓電效應(yīng)產(chǎn)生振蕩,進(jìn)而輸出穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào).這種晶振的輸出電平符合CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn),高電平接近電源電壓(常見為5V或3.3V),低電平接近0V,這使得它能與大多數(shù)數(shù)字電路直接兼容,無(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換電路,大大簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì).CMOS晶振具有許多顯著特性.在功耗方面,它的靜態(tài)功耗極低,這一優(yōu)勢(shì)使其特別適合應(yīng)用于電池供電的設(shè)備,比如智能手機(jī),平板電腦,便攜式醫(yī)療設(shè)備等,能夠有效延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間.從抗噪聲能力來(lái)看,CMOS晶振對(duì)高頻噪聲有一定的抑制能力,不過(guò)在一些對(duì)噪聲要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景中,仍需要配合濾波器來(lái)進(jìn)一步降低干擾,以確保信號(hào)的純凈度.在信號(hào)質(zhì)量上,CMOS晶振輸出信號(hào)的上升沿和下降沿快速且對(duì)稱,有利于信號(hào)的高速傳輸,能夠滿足一些對(duì)時(shí)鐘信號(hào)邊沿特性要求較高的數(shù)字電路的需求.
CMOS晶振適用的典型場(chǎng)景,由于其特性,CMOS輸出晶振在通用數(shù)字電路中應(yīng)用廣泛.在單片機(jī)系統(tǒng)里,CMOS晶振為單片機(jī)提供精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),協(xié)調(diào)單片機(jī)內(nèi)部各個(gè)模塊的工作時(shí)序,確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確處理和傳輸.許多工業(yè)控制領(lǐng)域的可編程邏輯控制器(PLC)也常采用CMOS晶振,保障PLC在復(fù)雜的工業(yè)環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)對(duì)各種工業(yè)設(shè)備的精確控制.對(duì)于那些對(duì)成本較為敏感的項(xiàng)目,CMOS晶振也是不錯(cuò)的選擇.在一些家電控制板,如空調(diào),冰箱,洗衣機(jī)的控制電路中,CMOS晶振以其較低的成本和穩(wěn)定的性能,為家電的智能化控制提供了可靠的時(shí)鐘基準(zhǔn),在滿足功能需求的同時(shí),有效控制了生產(chǎn)成本.在簡(jiǎn)單的工業(yè)控制器中,CMOS晶振同樣能夠發(fā)揮作用,以較低的成本實(shí)現(xiàn)設(shè)備的基本控制功能,提升工業(yè)生產(chǎn)的效率和自動(dòng)化程度.
LVCMOS晶振的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
LVCMOS晶振,即低電壓互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶振,從名稱就能看出它的一大顯著特點(diǎn),工作在低電源電壓下,常見的工作電壓有1.8V,2.5V和3.3V.這使得它在功耗方面表現(xiàn)極為出色,具有極低功耗晶振,比傳統(tǒng)的CMOS晶振功耗更低,這對(duì)于那些對(duì)功耗要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場(chǎng)景來(lái)說(shuō),無(wú)疑是一大福音.在開關(guān)速度上,LVCMOS晶振也有著亮眼的表現(xiàn),其開關(guān)速度通常較快,能夠滿足現(xiàn)代高速數(shù)字電路對(duì)時(shí)鐘信號(hào)快速切換的需求.快速的開關(guān)速度意味著信號(hào)能夠在更短的時(shí)間內(nèi)完成狀態(tài)轉(zhuǎn)換,從而實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和處理速度.在一些對(duì)時(shí)序要求極高的高速數(shù)據(jù)傳輸場(chǎng)景中,LVCMOS晶振的快速開關(guān)特性能夠確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸,減少傳輸錯(cuò)誤,提升系統(tǒng)的整體性能.此外,LVCMOS晶振的輸出信號(hào)質(zhì)量也較為出色,它能夠輸出清晰,穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),信號(hào)的抖動(dòng)和噪聲都控制在較低水平,為數(shù)字電路提供了可靠的時(shí)間基準(zhǔn),有助于提高數(shù)字電路的穩(wěn)定性和可靠性.
LVCMOS晶振的典型應(yīng)用領(lǐng)域
鑒于LVCMOS晶振的特性,它在多個(gè)領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用.在電池供電設(shè)備中,如手機(jī),平板電腦,智能手表等,LVCMOS晶振憑借其極低的功耗,能夠有效延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間,讓用戶無(wú)需頻繁充電,提升了設(shè)備的使用便利性和用戶體驗(yàn).在智能手機(jī)晶振中,LVCMOS晶振為手機(jī)的處理器,通信模塊,存儲(chǔ)芯片等提供精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),確保手機(jī)在運(yùn)行各種應(yīng)用程序,進(jìn)行數(shù)據(jù)通信時(shí)能夠穩(wěn)定高效地工作.在高速數(shù)字電路領(lǐng)域,LVCMOS晶振更是不可或缺.像高速通信模塊,計(jì)算機(jī)內(nèi)存,高速接口電路等,都需要高速,低功耗的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)保證數(shù)據(jù)的快速準(zhǔn)確傳輸.在5G通信基站的信號(hào)處理單元中,LVCMOS晶振能夠提供高頻,穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),滿足5G通信對(duì)高速數(shù)據(jù)傳輸和處理的需求,保障基站與終端設(shè)備之間的穩(wěn)定通信.在計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊中,LVCMOS晶振為內(nèi)存芯片提供時(shí)鐘信號(hào),協(xié)調(diào)內(nèi)存的讀寫操作,提高內(nèi)存的數(shù)據(jù)訪問速度,從而提升計(jì)算機(jī)的整體運(yùn)行性能.
CMOS與LVCMOS晶振的對(duì)比--電氣特性對(duì)比
CMOS晶振和LVCMOS晶振在電氣特性上存在一些關(guān)鍵差異,這些差異直接影響著它們?cè)诓煌娐分械膽?yīng)用表現(xiàn).在工作電壓范圍方面,CMOS晶振常見的工作電壓為5V或3.3V,而LVCMOS晶振則主要工作在低電壓環(huán)境下,常見的工作電壓有1.8V,2.5V和3.3V.這使得LVCMOS晶振在低功耗設(shè)計(jì)中具有天然的優(yōu)勢(shì),能夠更好地適應(yīng)對(duì)電源要求苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景.在邏輯電平定義上,兩者也有所不同.CMOS晶振的高電平接近電源電壓,低電平接近0V;以3.3V的CMOS晶振為例,其高電平通常在3.1V-3.3V之間,低電平在0V-0.2V之間.而LVCMOS晶振在不同工作電壓下,邏輯電平也有相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn).1.8V的LVCMOS晶振,高電平一般在1.62V-1.8V之間,低電平在0V-0.18V之間.這些不同的邏輯電平定義,決定了它們與不同數(shù)字電路的兼容性.功耗是衡量晶振性能的重要指標(biāo)之一.CMOS晶振的靜態(tài)功耗極低,在未進(jìn)行信號(hào)切換時(shí),幾乎不消耗電能,只有在狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)才會(huì)有少量電流通過(guò).不過(guò),相比之下,LVCMOS晶振的功耗更低,尤其是在低電壓工作時(shí),其功耗優(yōu)勢(shì)更加明顯.在一些對(duì)功耗要求極為嚴(yán)格的電池供電設(shè)備中,如智能手環(huán),藍(lán)牙耳機(jī)等,LVCMOS晶振的低功耗特性能夠顯著延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間,提升用戶體驗(yàn).傳輸延遲也是兩者的一個(gè)重要區(qū)別.CMOS晶振的傳輸延遲相對(duì)較長(zhǎng),這意味著信號(hào)從輸入到輸出需要花費(fèi)一定的時(shí)間,在一些對(duì)時(shí)序要求不是特別嚴(yán)格的通用數(shù)字電路中,這種傳輸延遲不會(huì)對(duì)系統(tǒng)性能產(chǎn)生太大影響.而LVCMOS晶振由于其快速的開關(guān)速度,傳輸延遲較短,能夠滿足高速數(shù)字電路對(duì)時(shí)鐘信號(hào)快速傳輸?shù)男枨?在高速通信,高速數(shù)據(jù)處理等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì).為了更直觀地展示兩者的差異,以下是一個(gè)簡(jiǎn)單的對(duì)比表格:
應(yīng)用場(chǎng)景差異分析
基于上述電氣特性的差異,CMOS晶振和LVCMOS晶振在應(yīng)用場(chǎng)景上也各有側(cè)重.CMOS晶振憑借其與大多數(shù)數(shù)字電路直接兼容的特性,在通用數(shù)字電路領(lǐng)域占據(jù)著重要地位.在常規(guī)的電子設(shè)備中,如智能家居控制系統(tǒng),普通的電子玩具,辦公設(shè)備等,CMOS晶振能夠穩(wěn)定地提供時(shí)鐘信號(hào),滿足設(shè)備的基本運(yùn)行需求,且由于其技術(shù)成熟,成本較低,成為了這些應(yīng)用場(chǎng)景的首選.在一個(gè)簡(jiǎn)單的智能家居燈光控制系統(tǒng)中,使用CMOS晶振為控制芯片提供時(shí)鐘信號(hào),即可實(shí)現(xiàn)對(duì)燈光的開關(guān),亮度調(diào)節(jié)等功能,既滿足了系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘精度的要求,又降低了成本.LVCMOS晶振則更適合應(yīng)用于對(duì)功耗和速度要求較高的場(chǎng)景.在電池供電的移動(dòng)設(shè)備中,如智能手機(jī),平板電腦,智能手表等,LVCMOS晶振的低功耗特性能夠有效延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間,同時(shí)其快速的開關(guān)速度和較短的傳輸延遲,也能夠滿足這些設(shè)備對(duì)高速數(shù)據(jù)處理和通信的需求.在智能手機(jī)中,各種芯片如處理器,通信模塊,圖像傳感器等都需要高精度,高速的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)保證數(shù)據(jù)的快速處理和傳輸,LVCMOS晶振正好能夠滿足這些要求,確保手機(jī)在運(yùn)行各種應(yīng)用程序,進(jìn)行視頻通話,數(shù)據(jù)下載等操作時(shí),都能保持流暢穩(wěn)定.在高速數(shù)字電路領(lǐng)域,如高速通信模塊,計(jì)算機(jī)內(nèi)存,高速接口電路等,LVCMOS晶振也是不可或缺的.在5G通信基站中,為了實(shí)現(xiàn)高速,大容量的數(shù)據(jù)傳輸,需要使用高頻,低延遲的時(shí)鐘信號(hào),LVCMOS晶振能夠提供穩(wěn)定的高頻時(shí)鐘,確保基站與終端設(shè)備之間的通信穩(wěn)定可靠.在計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊中,LVCMOS晶振為內(nèi)存芯片提供精確的時(shí)鐘信號(hào),協(xié)調(diào)內(nèi)存的讀寫操作,提高內(nèi)存的數(shù)據(jù)訪問速度,從而提升計(jì)算機(jī)的整體運(yùn)行性能.
選擇Bliley晶振CMOS或LVCMOS的考慮因素根據(jù)電路需求選擇
在選擇Bliley晶振的CMOS或LVCMOS時(shí),首先要深入分析電路的具體需求,這是做出正確決策的關(guān)鍵.不同類型的電路對(duì)電壓,速度,功耗等有著不同的要求,只有充分考慮這些因素,才能確保晶振與電路完美適配,使整個(gè)系統(tǒng)高效穩(wěn)定地運(yùn)行.對(duì)于一些通用數(shù)字電路,如簡(jiǎn)單的控制電路,低速數(shù)據(jù)處理電路等,對(duì)速度和功耗的要求相對(duì)較低,而更注重成本和兼容性.在這些電路中,CMOS晶振憑借其與大多數(shù)數(shù)字電路直接兼容的特性,以及較低的成本,成為了理想的選擇.在一個(gè)普通的智能家居燈光控制電路中,使用CMOS晶振為控制芯片提供時(shí)鐘信號(hào),即可滿足系統(tǒng)對(duì)時(shí)鐘精度的基本要求,實(shí)現(xiàn)對(duì)燈光的開關(guān),亮度調(diào)節(jié)等功能,同時(shí)還能有效控制成本.然而,在一些對(duì)速度和功耗要求極高的電路中,LVCMOS晶振則更具優(yōu)勢(shì).在高速通信電路中,如5G通信模塊,高速以太網(wǎng)接口等,需要快速傳輸大量的數(shù)據(jù),這就要求時(shí)鐘信號(hào)具有極短的傳輸延遲和快速的開關(guān)速度,以確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸.LVCMOS晶振能夠滿足這些嚴(yán)格的要求,其快速的開關(guān)速度和較低的傳輸延遲,使得它在高速通信領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用.在5G通信基站的信號(hào)處理單元中,LVCMOS晶振為各種高速芯片提供精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào),保障了基站與終端設(shè)備之間的穩(wěn)定通信,實(shí)現(xiàn)了高速,大容量的數(shù)據(jù)傳輸.在電池供電的電路中,如手機(jī),平板電腦,便攜式醫(yī)療設(shè)備晶振等,功耗是一個(gè)至關(guān)重要的因素.這些設(shè)備通常需要長(zhǎng)時(shí)間使用電池供電,因此對(duì)晶振的功耗要求極為嚴(yán)格.LVCMOS晶振由于工作在低電壓下,具有極低的功耗,能夠顯著延長(zhǎng)電池的續(xù)航時(shí)間,提升設(shè)備的使用便利性和用戶體驗(yàn).在智能手機(jī)中,LVCMOS晶振為手機(jī)的處理器,通信模塊,存儲(chǔ)芯片等提供時(shí)鐘信號(hào),在保證設(shè)備高性能運(yùn)行的同時(shí),有效降低了功耗,延長(zhǎng)了電池使用時(shí)間.
考慮成本與兼容性
成本和兼容性也是選擇Bliley晶振CMOS或LVCMOS時(shí)不可忽視的重要因素.這兩個(gè)因素相互關(guān)聯(lián),需要綜合考慮,以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的系統(tǒng)設(shè)計(jì).從成本角度來(lái)看,CMOS晶振通常具有較低的成本.這是因?yàn)镃MOS技術(shù)成熟,生產(chǎn)工藝較為簡(jiǎn)單,使得CMOS晶振在市場(chǎng)上的價(jià)格相對(duì)親民.對(duì)于一些對(duì)成本敏感的應(yīng)用場(chǎng)景,如普通的消費(fèi)電子產(chǎn)品,簡(jiǎn)單的工業(yè)控制器等,CMOS晶振能夠在滿足基本功能需求的前提下,有效控制成本,提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力.在一些低成本的電子玩具中,使用CMOS晶振作為時(shí)鐘源,既能保證玩具的正常運(yùn)行,又能降低生產(chǎn)成本,使得產(chǎn)品更具價(jià)格優(yōu)勢(shì).LVCMOS晶振由于其工作在低電壓下,需要更先進(jìn)的制造工藝和技術(shù),以確保在低電壓環(huán)境下仍能保持良好的性能,這使得LVCMOS晶振的成本相對(duì)較高.在一些對(duì)成本要求不那么苛刻,但對(duì)性能要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景中,如高端智能手機(jī),高性能計(jì)算機(jī)等,LVCMOS晶振的高性能優(yōu)勢(shì)能夠彌補(bǔ)其成本較高的不足,為設(shè)備帶來(lái)更出色的運(yùn)行表現(xiàn).在高端智能手機(jī)中,為了實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理速度和更低的功耗,通常會(huì)選擇使用LVCMOS晶振,盡管成本有所增加,但卻能顯著提升手機(jī)的整體性能和用戶體驗(yàn).兼容性方面,CMOS晶振輸出電平符合CMOS邏輯電平標(biāo)準(zhǔn),能夠與大多數(shù)數(shù)字電路直接兼容,無(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換電路,大大簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),降低了設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本.這使得CMOS晶振在通用數(shù)字電路中得到了廣泛應(yīng)用.在單片機(jī)最小系統(tǒng)中,CMOS晶振可以直接與單片機(jī)的時(shí)鐘輸入引腳相連,為單片機(jī)提供時(shí)鐘信號(hào),無(wú)需進(jìn)行復(fù)雜的電平轉(zhuǎn)換,方便快捷.LVCMOS晶振在與一些工作電壓較高的傳統(tǒng)數(shù)字電路連接時(shí),可能需要進(jìn)行電平轉(zhuǎn)換,以確保信號(hào)的正確傳輸和識(shí)別.這就需要額外添加電平轉(zhuǎn)換芯片或電路,增加了系統(tǒng)的成本和復(fù)雜度.在某些情況下,如果電路設(shè)計(jì)允許,也可以通過(guò)合理選擇芯片和調(diào)整電路參數(shù),實(shí)現(xiàn)LVCMOS晶振與其他電路的直接兼容,避免電平轉(zhuǎn)換帶來(lái)的麻煩.在一些專門設(shè)計(jì)的低功耗系統(tǒng)中,所有芯片都選擇支持LVCMOS電平的型號(hào),這樣LVCMOS晶振就可以直接與其他芯片協(xié)同工作,無(wú)需電平轉(zhuǎn)換.在選擇Bliley晶振的CMOS或LVCMOS時(shí),需要綜合考慮成本和兼容性.如果應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)成本敏感,且對(duì)性能要求不是特別高,同時(shí)電路對(duì)兼容性要求較為寬松,那么CMOS晶振可能是更好的選擇;如果應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)性能要求極高,且能夠接受相對(duì)較高的成本,同時(shí)電路設(shè)計(jì)能夠滿足LVCMOS晶振的兼容性要求,那么LVCMOS晶振則更能發(fā)揮其優(yōu)勢(shì).在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)中,還需要根據(jù)具體的項(xiàng)目需求,預(yù)算以及技術(shù)難度等因素,進(jìn)行全面的評(píng)估和權(quán)衡,以做出最適合的決策.
bliley晶振CMOS與LVCMOS如何選擇
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-10.000MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-12.800MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.000MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-16.384MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.200MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-19.440MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-20.000MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-24.576MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-25.000MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-E-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-E-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-E-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-L-2-CT |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-L-2-T2 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
|
ABDFTCXO-26.000MHZ-L-2-T5 |
Abracon |
ABDFTCXO |
TCXO |
14.2mm |
9.15mm |
3.1mm |
“推薦閱讀”
- ECS數(shù)據(jù)中心與晶體振蕩器重塑網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的黃金搭檔
- 瑞薩RA8M2/RA8D2:1GHz雙核嵌入式MRAM的革新力量
- TS-3032-C7數(shù)字溫度傳感器的革新力量
- 霍爾效應(yīng)新突破Diodes微型開關(guān)與低壓芯片組的完美兼容
- KVG晶振保護(hù)關(guān)鍵系統(tǒng)免受GNSS欺騙攻擊和干擾
- KVG晶振新應(yīng)用手冊(cè)解鎖可靠方案滿足最高要求
- 探秘緊湊型汽車級(jí)小巨人Abracon微型注塑電感器內(nèi)部構(gòu)造
- Abracon專為數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)的高穩(wěn)定性MEMS振蕩器
- MtronPTI的XO9085設(shè)計(jì)師的頻率穩(wěn)定神器
- Microchip汽車連接新變革Microchip與AVIVA的ASA-ML互操作性突破
【責(zé)任編輯】：金洛鑫版權(quán)所有：http://m.908tw.com轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處
相關(guān)常見問題
- TAITIEN如何征服惡劣環(huán)境戰(zhàn)場(chǎng)
- 解鎖CTS-CS-BAX-20母線電流傳感的奧秘與應(yīng)用
- bliley晶振CMOS與LVCMOS如何選擇
- bliley射頻PCB設(shè)計(jì)避坑指南打造高性能電路板
- 汽車電路安全新護(hù)盾Diodes雙通道高壓側(cè)開關(guān)
- 5G基站的心臟起搏器NDK晶振OCXO
- 使用Suntsu的超低抖動(dòng)振蕩器來(lái)消除信號(hào)抖動(dòng)問題
- Pletronics普銳特新型頻率控制技術(shù)與傳統(tǒng)石英技術(shù)的對(duì)比分析
- Golledge頻率控制在可穿戴設(shè)備和健康監(jiān)測(cè)中的作用
- 壓電傳感器的工作原理是什么?
