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Golledge最新“出爐“的GVXO-338壓控晶振系列性能參數(shù)介紹

來源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2020-07-06 10:57:20【大中小】

Golledge最新”出爐”的GVXO-338壓控晶振系列性能參數(shù)介紹

6月的新聞通訊還采用了Golledge晶振公司全新的壓控振蕩器GVXO-338(可提供高達(dá)125MHz的頻率)以及世界上最低功耗的RTCRV-3028-C7.我們的專家團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)以安全可靠的方式工作,以確保您的頻率組件供應(yīng)在這段時間內(nèi)受到的影響盡可能小.GVXO-338L超小型壓控振蕩器的頻率范圍可低至1.250MHz至125MHz.這款VCXO具有3.3V的電源電壓和標(biāo)準(zhǔn)的15pFCMOS驅(qū)動能力,僅需13mA的低電源電流.GVXO-338L的電壓控制范圍為1.65V±1.5V,線性度為10％,可產(chǎn)生最小±90ppm的寬頻率可拉性.

GVXO-338L晶振具有低電流消耗的CMOS3.3V表面貼裝VCXO

拉范圍廣

低電流消耗

3.3V電源

小型SMD封裝

有競爭力的價格

技術(shù)指標(biāo)參數(shù)表:

頻率范圍	1.250~125.0MHz
外形尺寸	3.2x2.5x1.15mm
電壓控制	+1.65V±1.5V,線性度10％
儲存溫度范圍	-40~+85℃
電源電壓(VDD)	+3.3V(±5％)
電源電流	最大13mA
駕駛能力	15pFCMOS
邏輯水平	'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值
波形對稱	最大40:60@50％VDD
上升/下降時間(20%~80%VDD)	最多5ns
啟動時間	最長10ms

GVXO-338K壓控振蕩器的頻率范圍低至1.250MHz至100MHz,電源電壓為2.8V.GVXO-338K還具有標(biāo)準(zhǔn)的15pF CMOS驅(qū)動能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面貼裝封裝.這款超小型SMVCXO具有僅9mA的超低電源電流要求,并具有10％的線性度,1.4V±1.35V的寬電壓控制范圍.

GVXO-338K具有低電流消耗的CMOS2.8V表面貼裝VCXO振蕩器

低電流消耗

2.8V電源

小型SMD封裝

有競爭力的價格

技術(shù)指標(biāo)參數(shù)表:

頻率范圍	1.250~100.0MHz
外形尺寸	3.2x2.5x1.15mm
電壓控制	+1.4V±1.25V,線性度10％
儲存溫度范圍	-40~+85℃
電源電壓(VDD)	+2.8V(±5％)
電源電流	最大9mA
駕駛能力	15pFCMOS
邏輯水平	'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值
波形對稱	最大40:60@50％VDD
上升/下降時間(20%~80%VDD)	最多5ns
啟動時間	最長10ms

GVXO-338G超小型壓控振蕩器的頻率范圍可低至1.250MHz至100MHz.該VCXO具有1.8V的低電源電壓和標(biāo)準(zhǔn)的15pF CMOS驅(qū)動能力,僅3mA的超低電源電流要求和0.9V±0.85V的寬電壓控制范圍,具有10％的線性度,可產(chǎn)生±至少90ppm.

GVXO-338G貼片晶振具有低電流消耗的CMO S1.8V表面貼裝VCXO

低電流消耗

1.8V電源

小型SMD封裝

有競爭力的價格

技術(shù)指標(biāo)參數(shù)表:

頻率范圍	1.250~100.0MHz
外形尺寸	3.2x2.5x1.15mm
電壓控制	+0.9V±0.85V,線性度10％
儲存溫度范圍	-40~+85℃
電源電壓(VDD)	+1.8V(±5％)
電源電流	最大3mA
駕駛能力	15pFCMOS
邏輯水平	'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值
波形對稱	最大40:60@50％VDD
上升/下降時間(20%~80%VDD)	最多5ns
啟動時間	最長10ms

GVXO-338S壓控振蕩器的頻率范圍低至1.0MHz至90MHz,電源電壓為5.0V.GVXO-338S還具有標(biāo)準(zhǔn)的15pF CMOS驅(qū)動能力,采用超小型3.2x2.5x1.15mm表面貼裝封裝.該超小型貼片石英晶振 VCXO還具有僅20mA的低電源電流要求和2.5％±2.0V的寬電壓控制范圍,并具有10％的線性度.

GVXO-338S具有低電流消耗的CMOS5.0V表面貼裝VCXO

拉范圍廣

低電流消耗

5.0V電源

小型SM封裝

有競爭力的價格

技術(shù)指標(biāo)參數(shù)表:

頻率范圍	1.0~90.0MHz
外形尺寸	3.2x2.5x1.15mm
電壓控制	+0.9V±0.85V,線性度10％
儲存溫度范圍	-40~+85℃
電源電壓(VDD)	+2.5V±2.0(±5％)
電源電流	最大20mA
駕駛能力	15pFCMOS
邏輯水平	'0'電平=10％VDD最小值 '1'電平=90％VDD最小值
波形對稱	最大40:60@50％VDD
上升/下降時間(20%~80%VDD)	最多5ns
啟動時間	最長10ms