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IDT有源晶體代碼XLH335024.000000X與MEMS系列對(duì)比結(jié)論

來(lái)源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2019-10-15 10:54:59【大中小】

美國(guó)Integrated Device Technology,Inc.公司總部位于加州圣何塞市,是1980年才成立的石英晶振,MEMS晶振,時(shí)鐘時(shí)序,存儲(chǔ)器/邏輯,接口/連接,電源管理,傳感器,RF,無(wú)線電源等電子產(chǎn)品制造商.其核心的技術(shù)是頻率控制、RF、高性能定時(shí)、存儲(chǔ)接口、實(shí)時(shí)互聯(lián)、光互聯(lián)、無(wú)線電源、及智能傳感器.IDT晶振在行業(yè)里具有不錯(cuò)的口碑和知名度,IDT公司雖然不是專門(mén)只做頻率元件的,但是這個(gè)石英晶振模塊的產(chǎn)品卻成功銷往世界范圍內(nèi)的50多個(gè)國(guó)家.

XLH335024.000000X是IDT公司旗下一款有源晶振的原廠代碼,近年來(lái)在網(wǎng)絡(luò)上出現(xiàn)得比較頻繁,因?yàn)楝F(xiàn)在大多數(shù)客戶,都習(xí)慣使用編碼或者代碼來(lái)咨詢供應(yīng)商訂購(gòu).這條代碼的組合方式相對(duì)來(lái)說(shuō)算是比較簡(jiǎn)單的,開(kāi)關(guān)的字母代表的是系列型號(hào),后面的24.0000則指的是頻率,其他主要參數(shù)如電源電壓,輸出邏輯,頻率穩(wěn)定度等都是用后面的數(shù)字和字母表示.

IDT提供石英晶體振蕩器(XO)和FemtoClock®NG可編程振蕩器IC,可滿足幾乎任何應(yīng)用的需求.XL、XA、XU、XF和XP系列晶體振蕩器產(chǎn)品屬于高性能、低抖動(dòng)時(shí)鐘源,具有低至120fs的典型RMS相位抖動(dòng),可提供各種頻率、性能等級(jí)、輸出類型、穩(wěn)定性、輸入電壓、封裝、引腳配置和溫度等級(jí)選項(xiàng).FemtoClockNG器件是高級(jí)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員的首選,可滿足高性能時(shí)鐘源需求,采用與標(biāo)準(zhǔn)石英晶體振蕩器同樣的占板面積,卻能發(fā)揮無(wú)與倫比的靈活性.以下是IDT晶振有源系列的原廠代碼數(shù)據(jù)信息表.

XLH335036.000000X	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335033.333000X	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335024.000000X	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335022.400000X	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335012.000000X	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335074.250000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335070.000000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335036.864000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335029.491200I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335019.440000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335008.000000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335014.318180I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335106.250000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335156.250000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
XLH335033.000000I	HCMOS	3.3V	(3.30mmx2.60mm)
IDT8102-25VPCNSG	CMOS	1.8V~3.3V	(5.00mmx3.20mm)
IDT8102-25VPCNVG	CMOS	1.8V~3.3V	(2.50mmx2.00mm)
IDT8102-40VPCNSG	CMOS	1.8V~3.3V	(5.00mmx3.20mm)
IDT8102-50VPCNVG	CMOS	1.8V~3.3V	(2.50mmx2.00mm)
4MA125000Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA148500Z3AACTGI	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA148500Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA150000Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA155520Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA156250Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
IDT4MA100000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA100000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA125000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA125000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA133333Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA133333Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA150000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA150000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA156250Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA156250Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA200000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA200000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
IDT4MA200000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA050000Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA050000Z4AACUGI	LVDS	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA050000Z4BACTGI	LVDS	2.5V	(5.00mmx3.20mm)
4MA050000Z4BACUGI	LVDS	2.5V	(7.00mmx5.00mm)
4MA066000Z3AACTGI	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA066000Z3AACUGI	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA100000Z3AACTGI	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA100000Z3AACUGI	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA100000Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA100000Z4AACUGI	LVDS	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA125000Z3AACTGI	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA125000Z3AACUGI	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA125000Z4AACTGI8	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA125000Z4AACUGI	LVDS	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA125000Z4AACUGI8	LVDS	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA125000Z4BACTGI	LVDS	2.5V	(5.00mmx3.20mm)
4MA125000Z4BACTGI8	LVDS	2.5V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133000Z3AACTGI	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133000Z3AACTGI8	LVPECL	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133000Z3AACUGI	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA133000Z3AACUGI8	LVPECL	3.3V	(7.00mmx5.00mm)
4MA133330Z4AACTGI	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133330Z4AACTGI8	LVDS	3.3V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133330Z4BACTGI	LVDS	2.5V	(5.00mmx3.20mm)
4MA133330Z4BACTGI8	LVDS	2.5V	(5.00mmx3.20mm)

當(dāng)使用MEMS可編程晶振時(shí),關(guān)于提高振動(dòng)靈敏度,降低制造成本以及提高可靠性有許多要求.但是,一旦您開(kāi)始研究這些領(lǐng)域,數(shù)據(jù)有時(shí)就無(wú)法呈現(xiàn)現(xiàn)實(shí)情況.例如,基于MEMS的設(shè)備的平均無(wú)故障間隔時(shí)間(MTBF)為130,000年,而基于夸脫的解決方案的平均無(wú)故障間隔時(shí)間(MTBF)為30,000年,對(duì)于任何設(shè)計(jì)人員而言,都不是主要問(wèn)題.但是,當(dāng)以兩次故障之間的平均改善時(shí)間來(lái)表示時(shí),這會(huì)在不影響零件的長(zhǎng)期可靠性的情況下,在設(shè)計(jì)人員的思維中產(chǎn)生不同的印象.

設(shè)計(jì)師認(rèn)為30,000年是可接受的MTBF水平,因此無(wú)法提出這一主張.MEMS諧振器的關(guān)鍵特性之一是振動(dòng)靈敏度(有時(shí)稱為重力靈敏度或振動(dòng)引起的相位偏移).這在2001年左右就得到了認(rèn)可,并已作為諧振器的關(guān)鍵破壞特征進(jìn)行銷售.但是,一旦我們開(kāi)始查看數(shù)據(jù),就可以開(kāi)始質(zhì)疑是否存在任何真正的優(yōu)勢(shì).考慮以下:

1.典型的振動(dòng)范圍規(guī)定為從Hz級(jí)到2kHz.

2.在大多數(shù)應(yīng)用中,振動(dòng)密度水平會(huì)停止或大大降低至2kHz以上.

根據(jù)相位噪聲測(cè)量,相位抖動(dòng)通常具有12kHz和20MHz的積分范圍,該范圍是任何客戶指定的最大振動(dòng)水平的六倍,振動(dòng)敏感度的度量單位是每十億分之一振動(dòng)的十億分之一(ppb/g),MEMS振動(dòng)靈敏度基于諧振器方向在0.01ppg/g至1ppb/g的范圍內(nèi),石英振動(dòng)靈敏度基于諧振器方向在0.1ppb/g至1ppb/g的范圍內(nèi),石英制造商在過(guò)去20年中已大大提高了對(duì)MEMS的振動(dòng)靈敏度.

毛坯尺寸的變化,更高頻率的應(yīng)用以及毛坯對(duì)齊的精度提高是主要改進(jìn),這些變化大大改善了石英振蕩器的振動(dòng)敏感性和沖擊敏感性.XT和XP現(xiàn)場(chǎng)可編程時(shí)鐘振蕩器的IDTProXO系列使用這些石英晶振生產(chǎn)工藝改進(jìn)來(lái)獲得較低的沖擊和振動(dòng)敏感度,振動(dòng)引起的相位偏移(增加的相位噪聲水平)與溫度和網(wǎng)絡(luò)引起的相位噪聲互斥,振動(dòng)引起的噪聲是溫度和網(wǎng)絡(luò)引起的噪聲的均方根值.

在振動(dòng)引起的噪聲等于或高于溫度和網(wǎng)絡(luò)噪聲引起的噪聲的水平之前,可以忽略振動(dòng)引起的噪聲.如果我們以156.25MHz的頻率在10gs的振動(dòng)下查看基于MEMS的振蕩器和基于石英的振蕩器的典型相位噪聲電平,則會(huì)發(fā)現(xiàn):

1.在靜態(tài)條件下,石英振蕩器通常比MEMS振蕩器低40db.

2.連續(xù)振動(dòng)水平高時(shí),石英晶體振蕩器的振動(dòng)靈敏度等于MEMS振蕩器的靜態(tài)振動(dòng)水平.

3.由于基于MEM的振蕩器的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電平幾乎相等,因此在此范圍內(nèi)其相位噪聲電平幾乎沒(méi)有增加.

當(dāng)在10Hz至2kHz的振動(dòng)范圍內(nèi)發(fā)生10gs的連續(xù)振動(dòng)時(shí),基于石英晶振的振蕩器和基于MEMS的振蕩器的相位噪聲電平相等.但是,由于印刷電路板和系統(tǒng)中其他更大,更重的部件的重量增加,在此頻率范圍內(nèi)連續(xù)出現(xiàn)10g的振動(dòng)水平將導(dǎo)致長(zhǎng)期可靠性降低和產(chǎn)品損壞.假設(shè)10gs只會(huì)在很小的時(shí)間內(nèi)發(fā)生,基于石英的振蕩器將具有較低的相位噪聲性能,使其成為現(xiàn)實(shí)條件下的更好解決方案.

通過(guò)此處查看的數(shù)據(jù),我們發(fā)現(xiàn)使用MEMS諧振器振蕩器與更常見(jiàn)且穩(wěn)定的石英振蕩器相比并沒(méi)有真正的優(yōu)勢(shì).因此,IDT幾年前就從我們的產(chǎn)品組合中刪除了該產(chǎn)品,并繼續(xù)專注于Quartz Crystal,并改進(jìn)了我們提供的集成了內(nèi)部諧振器的器件,包括新的ProXO系列可編程時(shí)鐘振蕩器.