現(xiàn)代化高端產品的設計方案中，少不了一顆TCXO晶振或者OCXO振蕩器，前者是溫度補償型的，后者是恒定溫度型的，聽起來好像差不多，所以很多人分不清楚二者的區(qū)別，其實OCXO和TCXO系列的差別很大，讀完這篇文章，別再說它們是一樣的了。即使因為IC技術提升，OCXO與TCXO的功能相差不是很大，使很多工程師都不知道該用哪種比較好？其作用和技術感覺更模糊了，所以今天金洛鑫電子特意從技術的角度，來進行比較，幫助廣大新老客戶可以分辨和有效選擇對自己產品更有利的振蕩器。

本應用筆記中提供的數(shù)據來自市售的現(xiàn)成產品。供應商之間的確切數(shù)字會有所不同，但總體趨勢和近似值應該相似。在選擇合適的設備之前要審查的關鍵問題是頻率穩(wěn)定性的變化以及校準和長期穩(wěn)定性所需的調整（老化）。作為TCXO，OCXO對這些影響的敏感度只有四分之一。在考慮有源晶振的使用壽命時應考慮到這一點。

OCXO和TCXO晶振技術之間的當前分界線在所需溫度范圍內約為0.28PPM。TCXO用于Stratum3應用的開發(fā)帶來了溫度范圍內穩(wěn)定性的進步-接近OCXO傳統(tǒng)上實現(xiàn)的穩(wěn)定性。由于這兩種技術都可用于應用程序，因此確定哪種技術最適合給定應用程序可能會令人困惑。

下表概述了OCXO和TCXO產品之間需要考慮的差異。通常，當尺寸和功率對應用至關重要時，TCXO是首選。這些往往是手持式或電池供電的設備。就頻率穩(wěn)定性而言，OCXO石英晶體振蕩器是一款更強大的產品。這種類型的產品往往更適合通信/網絡應用。表A應該有助于指導設計人員為應用選擇最合適的技術。

TCXO技術：

VCXO是一種壓控晶振，其電壓控制引腳具有校正電壓。該電壓隨溫度變化，使頻率回到標稱值。該應用程序在規(guī)范的整個頻率范圍內運行晶體。任何與晶體相關的問題（如耦合模式）都無法校正，并疊加在最終的頻率-溫度曲線上。這使得晶體的設計和制造成為TCXO的一個難點和關鍵部分。大多數(shù)TCXO都需要電壓控制功能。這允許精確設置頻率，調整長期老化以及將設備鎖相到其他源的能力。該功能VCTCXO（壓控溫補晶體振蕩器）通過調節(jié)晶體的負載電容來工作。對于TCXO的嚴格公差，應考慮這些調整所做的更改。用于調節(jié)頻率的電容器具有溫度系數(shù)，并且該溫度系數(shù)改變電容器的標稱值隨溫度變化。這種變化對晶體的補償有影響。在精度較低的TCXO晶振中，這通常被忽略，但是當TCXO精度達到并超過0.5ppm時，這些影響不能再被忽略。在典型應用中，需要將單位從0.5-2ppm調整為精確校準。然后，該設備需要調整以實現(xiàn)長期穩(wěn)定性（老化）。

調整溫度補償晶振進行1.0ppm的校準和3ppm的長期老化可以將補償改為50-125ppb。當規(guī)格接近或低于0.25ppm時，這開始接近補償限值的50％。在高精度應用中使用TCXO時，這可能是一個重要問題。

下圖顯示了校準到精確頻率的石英晶振的頻率-溫度數(shù)據。然后將頻率調整為±4和±8ppm。然后將這些圖偏移以進行比較。電容器的這種效應對晶體曲線具有旋轉效應，并且改變補償水平。曲線圖顯示溫度范圍越寬：應用越精確，電壓控制功能的影響越大。

OCXO技術：

Ovenized Crystal Oscillators（OCXO）通常用于高精度頻率應用。這種方法將晶體和相關的振蕩器電路加熱到晶體的上轉折點。下圖顯示了OCXO晶振應用中使用的上轉折點的一部分。

制造這些振蕩器的晶體，使得上轉折點高于指定的最高溫度范圍。晶體和相關電路被加熱到并保持晶體上該點周圍的窄溫度窗口，并且該器件在該溫度下被調諧到頻率。

溫度穩(wěn)定的環(huán)境具有一些固有的優(yōu)點。這種方法大大降低了之前談到的溫度系數(shù)效應。上圖顯示了當EFC改變±4ppm和±8ppm（類似于溫補晶振）時OCXO的頻率溫度特性。數(shù)據顯示，與TCXO（50-100ppb）相比，OCXO與控制電壓變化相關的穩(wěn)定性在5-10ppb范圍內。

OCXO晶振具有在非常窄的溫度窗口上運行晶體的額外優(yōu)勢，通常為幾度或更低。這大大降低了激發(fā)晶體中不需要的模式的機會。這種方法的最大缺點是設備的尺寸和功率要求。隨著技術的發(fā)展，這些設備的尺寸和功率要求都在不斷下降。

除了工藝技術和設計開發(fā)不一樣，OCXO振蕩器和TCXO振蕩器的應用范圍并不是有很多的區(qū)別，基本上都是用于通信設備，網絡模塊，無線，航空航天，交通系統(tǒng)，導航雷達，控制器，船舶呼叫系統(tǒng)，工業(yè)機械和軍事設備等高級產品領域。OCXO恒溫晶振和TCXO晶體振蕩器的外觀幾乎完全不一樣，OCXO的尺寸一般比較大，有9*14mm，25.4*25.4mm，58.2*58.2mm體積的，很少有7.0*5.0mm小尺寸的，有插件型和貼片型的，看上去比較笨重。而TCXO晶振的尺寸要小很多，基本都是SMT，尺寸最大是7.0*5.0mm，型號也不多見，最小的現(xiàn)在已經有1.6*1.2mm了，是已有的振蕩器封裝里最小的。