電子元器件的分類(lèi)有許多種，是組成一個(gè)平板電腦，智能手機(jī)，車(chē)載導(dǎo)航儀，智能家居，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等產(chǎn)品的零部件，本身就是比較復(fù)雜的。晶振是石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器的統(tǒng)稱(chēng)，對(duì)于數(shù)碼，電子，智能，科技這些領(lǐng)域的產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，是極其重要的。而且并不是所有產(chǎn)品都適合同一款石英晶振，不同的類(lèi)型，尺寸，規(guī)格的晶振選擇也不一樣。尤其是實(shí)際測(cè)量的時(shí)候，要考慮以下的參數(shù)和性能。

石英晶振具有很多性能參數(shù),除了上面所提及的串聯(lián)諧振頻率、并聯(lián)諧振頻率外,還有制造公差、拐點(diǎn)溫度等,已經(jīng)有很多文獻(xiàn)對(duì)此作了論述但對(duì)于測(cè)量來(lái)說(shuō),選用石英晶體的重要原因是因?yàn)樗母哳l穩(wěn)定性和極小的振幅。所以本文只對(duì)晶體的品質(zhì)因數(shù)、頻率一電流特性、頻率一溫度特性進(jìn)行了論述。

晶體的品質(zhì)因數(shù)Q是晶體的最重要參數(shù)。在一定程度上,當(dāng)其他條件相同時(shí),Q值越高石英晶體振蕩器的頻率穩(wěn)定度越高,晶體的品質(zhì)因數(shù)Q是由晶體的動(dòng)態(tài)參數(shù)決定的,即：

其中ω為測(cè)試系數(shù)。

晶振的品質(zhì)因數(shù)通常不作規(guī)定,對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)部件,Q值通常在20000-200000之間,精密晶體可高達(dá)5×10°,這比傳統(tǒng)的微懸臂的Q值要高100-1000倍。

石英諧振器的頻率一電流特性,就是激勵(lì)電平和諧振頻率的關(guān)系,它是由貼片晶振的物理特性決定的。激勵(lì)電平通常以晶振的耗散的功率、流過(guò)晶振的電流以及晶振兩端的電壓來(lái)量度,晶振電流的變化使其串聯(lián)諧振頻率發(fā)生交化。石英晶振的諧振頻率相對(duì)變化與晶振電流的關(guān)系,可以用下面的近似關(guān)系表示：

其中D是振的電流常數(shù)

從上述關(guān)系式可以看出,當(dāng)激勵(lì)電平增大時(shí),產(chǎn)生了以下影響:(1)頻率產(chǎn)生了漂移,長(zhǎng)期穩(wěn)定性變壞。晶振的彈性常數(shù)發(fā)生了變化,因此引起了頻率的漂移,隨著SMD晶振的激勵(lì)電流增高,晶振的頻率穩(wěn)定性顯著下降。(2)晶振溫度增加。當(dāng)晶振的激勵(lì)電平過(guò)高時(shí),使得晶振被加熱到熱平衡的溫度也引起了頻率變化。(3)產(chǎn)生了寄生振蕩。(4)等效電阻加大。內(nèi)部分子運(yùn)動(dòng)加劇,使得等效電阻加大,Q值下降。

在實(shí)際測(cè)量中,當(dāng)激勵(lì)電流過(guò)大時(shí),無(wú)源晶振振蕩的幅值過(guò)大,導(dǎo)致測(cè)量的精度下降,同時(shí)不易控制樣品表面與針尖之間的距離,所以一般不能采用較高的激勵(lì)電流。但是激勵(lì)電平也不能過(guò)小,否則由于噪聲電平的限制,使瞬態(tài)穩(wěn)定性變壞,這樣獲得的圖像質(zhì)量就比較差。

晶振的另外一個(gè)值得注意的參數(shù)是晶振的頻率一溫度特性,所謂晶振的頻率一溫度特性就是石英貼片晶振的諧振器的頻率隨溫度變化而變化的特性。晶振的工作溫度變化時(shí),晶格變形,從而使得其串聯(lián)諧振電路發(fā)生變化。石英諧振器在溫度較窄的范圍中,具有較小的溫度系數(shù),這就是說(shuō)頻率受溫度的變化的影響比較小。但隨著溫度變得較低(<50°C)和變得較大時(shí)(>80°C)時(shí),時(shí)鐘晶振的頻率隨著溫度的變化有較大的變化。在國(guó)外的文獻(xiàn)中已經(jīng)有報(bào)道將晶振放在真空、低溫、強(qiáng)磁場(chǎng)的環(huán)境下進(jìn)行測(cè)量,這時(shí)晶振的頻率將與常溫時(shí)有

明顯的不同,而且切型不同,頻率的變化方向也不同,所以在實(shí)驗(yàn)室應(yīng)該對(duì)測(cè)試溫度和環(huán)境加以控制。同時(shí)由于測(cè)試環(huán)境的變化,如何保持儀器的穩(wěn)定性,也是一個(gè)值得注意的問(wèn)題。