什么使IoT打勾？ Abracon的低等效串聯(lián)電阻（ESR）和低負(fù)載電鍍電容（CL）晶體是綠色和節(jié)能MCU和便攜式通信的理想選擇芯片組。 在降低功耗的壓電石英晶體競爭中，許多片上振蕩器正在被匱乏輸出驅(qū)動，通常不能使用標(biāo)準(zhǔn)晶體維持振蕩。 Abracon的最新系列用于微功率應(yīng)用的石英晶體克服了這些挑戰(zhàn)。
Abracon公司的產(chǎn)品是COTS - 商業(yè)現(xiàn)貨產(chǎn)品; 適用于商業(yè)，工業(yè)和指定的自動化應(yīng)用。 Abracon的產(chǎn)品不是專為軍事，航空，航空航天，生命依賴醫(yī)療應(yīng)用或任何需要高可靠性的應(yīng)用而設(shè)計的.ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時鐘晶體或電壓控制晶體振蕩器（VCXO）解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過12 kHz的37fs典型RMS抖動20MHz帶寬@ 100MHz載波，ABLNO是性能驅(qū)動的理想選擇通訊，射頻，無線回程，和儀器應(yīng)用。
Abracon晶振,石英晶振,ABL晶振,進(jìn)口晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產(chǎn)品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產(chǎn)品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應(yīng)產(chǎn)品應(yīng)用到自動貼片機(jī)告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術(shù)：通過對晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個方面，通過理論與實際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗，通過深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇.
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Abracon晶振 |
單位 |
ABL晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579545~70MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-55°C～+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-0°C～+70°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100~1000μW Max. |
推薦:100~1000μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-20°C～+70°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
18pF |
不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在無源引腳晶振根部發(fā)生密封玻璃分裂（開裂）,也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時,應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時,請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。
所有石英晶體諧振器和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致49S型無源插件晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。Abracon晶振,石英晶振,ABL晶振,進(jìn)口晶振
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量49S插件石英諧振器頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.
振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的AT切49S插件晶振的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過49S插件晶體輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
京瓷晶振,貼片晶振,CX1210DB晶振
TXC晶振,DIP晶振,9B晶振,無源石英晶振
西鐵城晶振,貼片晶振,HC-49_U-S晶振,石英晶振
TXC晶振,貼片晶振,9Q晶振,無源SMD晶振
Abracon晶振,石英晶振,ABL6M晶振,無源石英晶振