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首頁 TXC晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

產(chǎn)品詳情

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振 臺(tái)灣晶技為一專業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商,自1983年成立以來,始終致力于石英晶體諧振器(Crystal)、振蕩器(Oscillator) 等頻率組件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售,并因應(yīng)市場(chǎng)應(yīng)用與需求,透過自主核心技術(shù),成功開發(fā)出各式感測(cè)組件(Sensor),產(chǎn)品可廣泛使用于行動(dòng)通訊、穿戴式裝置、物聯(lián)網(wǎng)、服務(wù)器儲(chǔ)存設(shè)備、車用、電信、醫(yī)療…等市場(chǎng)。經(jīng)過三十年的努力,臺(tái)灣晶技總公司而外,另設(shè)有如下之生產(chǎn)據(jù)點(diǎn):總公司:臺(tái)北市北投區(qū)中央南路二段16號(hào)4樓,平鎮(zhèn)廠:桃園市平鎮(zhèn)區(qū)平鎮(zhèn)工業(yè)區(qū)工業(yè)六路4號(hào),寧波廠:寧波市北侖區(qū)黃山西路189號(hào),重慶廠:重慶市九龍坡區(qū)鳳笙路22號(hào).
TXC晶振公司是一家領(lǐng)先的專業(yè)頻率控制,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器,石英晶體諧振器,石英晶體,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等產(chǎn)品制造商致力于研究,設(shè)計(jì),制造和銷售雙列直插封裝(DIP)和表面貼裝器件(SMD)石英晶體和振蕩器產(chǎn)品。經(jīng)營(yíng)理念:企業(yè)的核心價(jià)值在于所宣達(dá)之經(jīng)營(yíng)理念以及相隨之企業(yè)愿景及使命,是以企業(yè)為求永續(xù)之發(fā)展,無不用心于長(zhǎng)遠(yuǎn)架構(gòu)之建立,以及核心價(jià)值之建構(gòu)之上。臺(tái)灣晶技有鑒于企業(yè)核心價(jià)值對(duì)于長(zhǎng)期發(fā)展之急迫性以及重要性,是以隨企業(yè)之漸次發(fā)展,將公司之愿景宣言、使命宣言.

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振

TXC晶振,貼片晶振,AH晶振,無源貼片晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來高速的工作效率,32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
石英晶體諧振器高精度晶片的切割技術(shù):AT 切型晶振的晶片厚度為:t= 1670*n/ f 0,BT 切型石英晶振的晶片厚度為:t= 2560*n/ f 0,t: 晶振晶片厚度(mm) f 0 : 晶片標(biāo)稱頻率(KHz) n: 泛音次數(shù),2.6、晶振的腐蝕技術(shù):用酸液腐蝕掉因研磨而產(chǎn)生的破壞層,消除晶片內(nèi)應(yīng)力,同時(shí)使石英晶振的晶片達(dá)到更準(zhǔn)確的目標(biāo)值。腐蝕頻率=(1000*(F/N)+(F 2 /N 2 )*PB)*N,F:石英晶振的標(biāo)稱頻率。 如 14.318180 MHz,18.432000 MHz, 20.000000 MHz.N: 振動(dòng)模式 Fund N=1、 3Rd N=3,PB:貼片晶振腐蝕反饋系數(shù)。一般在 0.5—1.5 之間.頻率低系數(shù)大,頻率高系數(shù)小。2.7、石英晶振的清洗:清洗掉石英晶振晶片表面的酸液和其它雜質(zhì)。以被用于制造石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器。

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振

TXC晶振

單位

AH晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

0.5μW Max.

推薦:1μW~50μW

頻率公差

f_— l

±20×10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/

頻率溫度特征

f_tem

(-0.03~±0.01)×10-6/-20°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF,9pF,12.5pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-20°C~ +70°C,DL = 50μW

頻率老化

f_age

±3×10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振

AH 3215

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1:抗沖擊: 抗沖擊是指音叉貼片晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解無源石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)TXC晶振,貼片晶振,AH晶振,無源貼片晶振
進(jìn)口晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無源貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

輕薄型32.768K二腳晶體,1610高密度石英諧振器,9HT12晶振

驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明32.768K無源晶振振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流,Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。TXC晶振,貼片晶振,AH晶振,無源貼片晶振

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3215貼片晶振測(cè)試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線).

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1、振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到高精密石英晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在貼片型音叉晶振振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。

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