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首頁 愛普生晶振

希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體

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產(chǎn)品簡介

超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振

華晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的晶振理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,同時(shí)也能達(dá)到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證。
希華晶體科技成立于1988年,專精于石英晶振頻率控制元件之研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售。從人工晶棒長成到最終產(chǎn)品,透過最佳團(tuán)隊(duì)組合及先進(jìn)之生產(chǎn)技術(shù),建立完整的產(chǎn)品線,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶體、晶體振蕩器、晶體濾波器、溫度補(bǔ)償型及電壓控制型產(chǎn)品等,以健全的供應(yīng)煉系統(tǒng),為客戶提供全方位的服務(wù)。產(chǎn)品應(yīng)用范圍包含行動電話、平板電腦、衛(wèi)星通訊、車載系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)、個(gè)人電腦、無線通信及家用產(chǎn)品等,扮演基本信號源產(chǎn)生、傳遞、濾波等功能。

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振 希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于貼片晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動,面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問題,公司在此方面通過理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振

希華晶振

單位

CSX-1612晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

26MHz~40MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

10~100μW Max.

推薦:10μW100μW

頻率公差

f_— l

±15× 10-6(標(biāo)準(zhǔn))

+25°C對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/

頻率溫度特征

f_tem

±50,±100× 10-6/-10°C~+70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

8PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-30°C~ +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振

CSX-1612 1612進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振 每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英SMD晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體

(2)陶瓷封裝日產(chǎn)貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品:產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)無源石英晶振的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

進(jìn)口金屬表面晶振,5032四腳石英晶體,CSX-5032晶振

振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在進(jìn)口晶振電路上的諧振器的振蕩頻率的真實(shí)值,使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中,通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式,如下面的圖所示(圖)。2, 3和4)。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。希華晶振,貼片晶振,CSX-1612晶振,進(jìn)口貼片晶體
接觸振蕩電路:探針不影響圖2,因?yàn)榫彌_器的輸出是通過輸入金屬面4P石英晶振振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3,因?yàn)樵贗C上測量緩沖器輸出(1/1、1/2等)。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況,由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容(3 pF以下XTAL終端IC)和探針。然而,應(yīng)該注意到,使用這種方法輸出波形較小,測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形,頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下,使用放大器來測量。

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此外,1.6x1.2mm石英貼片晶振振蕩頻率與測量點(diǎn)不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個(gè)測量點(diǎn)和所測量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

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負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致金屬面貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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測試條件:(1) 電源電壓? 超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。? 電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他? 輸入電容低于 15 pF? 5倍頻率范圍或更多測量頻率。? 鉛探頭應(yīng)盡可能短。? 測量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他? CL包含探頭電容。? 應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。? 使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線)


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