Statek公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點(diǎn)是低相位噪聲和低相位抖動(dòng)，達(dá)到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用。提出了擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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STATEK晶振 |
單位 |
CX9SMAT晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
14.7456~49MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
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激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW～100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±100 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn)), |
+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-55°C~+200°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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負(fù)載電容 |
CL |
10pF |
不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
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串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-55°C — +200°C,DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |
我們可以先使用示波器或者頻率計(jì)數(shù)器來(lái)檢查石英貼片晶體終端的兩個(gè)信號(hào)，如果沒(méi)有信號(hào)輸出，請(qǐng)按照步驟1-1到1-4步執(zhí)行檢查。如果有從石英晶振（XOUT）的輸出端子的輸出信號(hào)，而是從在終端（辛）輸出沒(méi)有信號(hào)，請(qǐng)檢查石英晶振體以下step1-5到步驟1-6。
你可以先把晶體卸載下來(lái)并測(cè)試進(jìn)口SMD晶振的頻率和負(fù)載電容，看看他們是否能振動(dòng)，也可以使用專業(yè)的石英晶體測(cè)試儀器來(lái)檢測(cè) 。如果你沒(méi)法檢測(cè)你也可以將不良品發(fā)送給我公司，我們檢測(cè)分析之后告訴你結(jié)果。如果有下列情況發(fā)生，晶振不起振，首先你先查看你產(chǎn)品上使用的負(fù)載電容CL是否對(duì)，是否跟你的線路相匹配，或者是晶振的精度是否符合你的要求，或者你可以把產(chǎn)品發(fā)送回我公司分析。如果晶振頻率和負(fù)載電容跟要求相對(duì)應(yīng)的話，我們將需要進(jìn)行等效電路測(cè)試。比如等效電路測(cè)試如下：
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在進(jìn)口無(wú)源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。Statek晶振,貼片晶振,CX9SMAT晶振,石英進(jìn)口晶振
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)陶瓷面無(wú)源貼片晶體測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明超薄SMD晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)陶瓷面二腳晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.
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