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首頁(yè) ILSI晶振

ILSI晶振,貼片晶振,IL3Y晶振,無(wú)源石英晶振

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

貼片石英晶體諧振器,又簡(jiǎn)稱為排帶包裝,這是這產(chǎn)品采用排帶盤式包裝,使產(chǎn)品在焊接時(shí)能采用SMT自動(dòng)貼片機(jī)高速的焊接,大大節(jié)約人工,提高工作效率。32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體,其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品,或者是控制模塊,主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào),其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

產(chǎn)品詳情

ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當(dāng)時(shí)的商業(yè)模式很簡(jiǎn)單,成為時(shí)鐘晶體和時(shí)鐘振蕩器的供應(yīng)商,以支持北美頻率控制市場(chǎng),在隨后的29年中,隨著全球頻率控制產(chǎn)品市場(chǎng)需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)和全球化,ILSI通過(guò)有機(jī)增長(zhǎng)和收購(gòu)應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)和客戶群。
1995年,ILSI北京中國(guó)辦事處開業(yè)。1998年,ILSI晶振美國(guó)公司搬遷到它現(xiàn)在的位置,這是一個(gè)位于內(nèi)華達(dá)州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國(guó)辦事處的開業(yè)完成了我們?cè)诿绹?guó)和亞洲提供真正實(shí)體店的目標(biāo),這些實(shí)體由直接員工提供,以支持我們?cè)诒泵?,墨西哥,亞洲和歐洲快速增長(zhǎng)的客戶群。

ILSI晶振,貼片晶振,IL3Y晶振,無(wú)源石英晶振,此款SMD晶體并且可以承受回流焊接的高溫,波峰焊接,回流焊接等,貼片表晶主要特點(diǎn)是該產(chǎn)品排帶包裝,焊接模式主要使用SMT焊接,給現(xiàn)代SMT工藝帶來(lái)高速的工作效率,32.768K系列產(chǎn)品本身具有體積小,厚度薄,重量輕等特點(diǎn),此音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

超小型石英貼片晶振晶片的設(shè)計(jì):石英晶片的長(zhǎng)寬尺寸已要求在±0.002mm內(nèi),由于4.1*1.5晶振晶片很小導(dǎo)致晶體的各類寄生波(如長(zhǎng)度伸縮振動(dòng),面切變振動(dòng))與主振動(dòng)(厚度切變振動(dòng))的耦合加強(qiáng),從而造成如若石英晶振晶片的長(zhǎng)度或?qū)挾瘸叽缭O(shè)計(jì)不正確、使得振動(dòng)強(qiáng)烈耦合導(dǎo)致石英晶振的晶片不能正常工作,從而導(dǎo)致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用,晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設(shè)計(jì)特別是外形尺寸的設(shè)計(jì)是首要需解決的技術(shù)問(wèn)題,公司在此方面通過(guò)理論與實(shí)踐相結(jié)合,模擬出一整套此石英晶振晶片設(shè)計(jì)的計(jì)算機(jī)程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應(yīng)用并取得很好的效果。穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

ILSI晶振

單位

IL3Y晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

32.768KHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

1μW Max.

推薦:1μW

頻率公差

f_— l

±20× 10-6

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/

頻率溫度特征

f_tem

-0.034× 10-6/-30°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

12.5PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

IL3Y 4115

穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

石英貼片晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。ILSI晶振,貼片晶振,IL3Y晶振,無(wú)源石英晶振

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無(wú)源貼片晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體諧振器器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。 穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在音叉2腳32.768K晶振基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。ILSI晶振,貼片晶振,IL3Y晶振,無(wú)源石英晶振

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D)取決于的類型,頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器(C1,C2)。精確值是通過(guò)4115兩腳貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的(包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí))。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右,僅供參考。

穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量4115智能手機(jī)晶體緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。

穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致時(shí)鐘頻率貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

穿戴式3215時(shí)鐘晶振,32.768KHZ音叉晶體,KX-327NHF晶振

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