質(zhì)量是GEYER ELECTRONIC成功案例的基礎(chǔ)。作為提供石英晶振產(chǎn)品領(lǐng)域的國(guó)際活躍專家，我們深知全面客戶服務(wù)的意義和以客戶需求為中心的物流設(shè)計(jì)。通過(guò)集中我們?cè)趤喼薰S的主要生產(chǎn)，德國(guó)的高端生產(chǎn)以及專業(yè)和高性能的開(kāi)發(fā)和服務(wù)團(tuán)隊(duì)，我們是可靠的合作伙伴。另外，根據(jù)DIN ISO 9001：2008，GEYER ELECTRONIC當(dāng)然也獲得了認(rèn)證。
作為電池和頻率無(wú)源晶振產(chǎn)品生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)豐富的國(guó)際運(yùn)營(yíng)專家，我們自然了解對(duì)客戶至關(guān)重要的一切：從最初的咨詢到生產(chǎn)和交付的一流質(zhì)量。高素質(zhì)的開(kāi)發(fā)和服務(wù)團(tuán)隊(duì)以及德國(guó)的高端生產(chǎn)確保我們?cè)谌魏螘r(shí)候都能完全滿足這一要求。因此，我們公司通過(guò)了DIN ISO 9001：2008認(rèn)證，這幾乎是不言而喻的。

GEYER晶振,貼片晶振,KX-327XS晶振,進(jìn)口石英晶振,貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

石英晶振的研磨技術(shù)：通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；

耐焊性：將進(jìn)口無(wú)源晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。GEYER晶振,貼片晶振,KX-327XS晶振,進(jìn)口石英晶振
所有陶瓷石英晶振和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門或雜散現(xiàn)象。電源線路:電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低。輸出負(fù)載:建議將石英晶振輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。音叉型晶體諧振器,2012無(wú)源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng),從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí),當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí),電源功率消耗也會(huì)增加；因此,請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英SMD晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在SMD式表面封裝晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。GEYER晶振,貼片晶振,KX-327XS晶振,進(jìn)口石英晶振

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)兩腳貼片晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

負(fù)載電容:如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致32.768K級(jí)5018晶振振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量5018封裝時(shí)鐘晶體頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.