NDK晶振集團所處于的事業(yè)環(huán)境是智能手機市場的擴大已在延緩，但伴隨著LTE的普及和要求比以往更高的GPS精度等帶來的搭載部件的構(gòu)成的變化，使得TCXO(溫度補償晶體振蕩器)和SAW（彈性表面波）器件的需要在急速增加。開發(fā)小型?高精度的OCXO（恒溫晶體振蕩器）、高頻振蕩器、超低相位噪聲振蕩器等的產(chǎn)業(yè)用高附加價值產(chǎn)品并擴大其銷售。
通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。NDK晶振所有的經(jīng)營組織都將積極應用國際標準以及適用的法律法規(guī)。為促進合理有效的公共政策的制訂實施加強戰(zhàn)略聯(lián)系。

NDK晶振,貼片晶振,NX1210AB晶振.產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
NDK石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

NDK晶振	單位	NX1210AB晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	26.000MHz~52.000MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	10μW Max.	推薦:1μW ~100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6(標準)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息, http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±15× 10-6/-30°C ~+85°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-30°C~ +85°C,DL = 10μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下， 晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
（4）對于可清洗產(chǎn)品，應避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

輸出波形與測試電路
1.時序表

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）

3.測試電路