2007、CTS完成α陶瓷收購(gòu)，提供傳感器在軍事和航空航天市場(chǎng)的傳感器制造商的壓電陶瓷材料。因此，CTS增強(qiáng)其全球領(lǐng)先的位置在壓電陶瓷具有獨(dú)特的能力范圍2008 tusonix，公司收購(gòu)，在Nogales、墨西哥的制造業(yè)務(wù)，增加了電磁和射頻干擾（EMI/RFI）濾波器元件的CTS系列產(chǎn)品。2012、CTS完成•華裴Fisher公司的收購(gòu)，在石英晶振精度和頻率的晶體振蕩器的設(shè)計(jì)制造的領(lǐng)導(dǎo)者。此次收購(gòu)擴(kuò)大了CTS的技術(shù)和工程能力。2012也是CTS收購(gòu)了研發(fā)技術(shù)的一年，該公司是一家私人定制的傳感器、開(kāi)關(guān)和機(jī)電組件制造商，服務(wù)于汽車(chē)輕車(chē)市場(chǎng)。此次收購(gòu)顯著擴(kuò)大CTS的戰(zhàn)略汽車(chē)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)與新客戶(hù)和更廣泛的產(chǎn)品組合。
1999，CTS收購(gòu)了摩托羅拉的組件產(chǎn)品部門(mén)（CPD）。更名為CTS的無(wú)線(xiàn)組件，這一收購(gòu)將CTS在新興的手機(jī)和基站市場(chǎng)前沿通過(guò)陶瓷過(guò)濾器的制造，雙工器和其他通信組件。此外，90年代后期與美國(guó)動(dòng)力公司（DCA）的合并，增強(qiáng)了CTS作為電子元件的主要生產(chǎn)商的地位。CTS繼續(xù)提供創(chuàng)新的解決方案，利用金屬陶瓷技術(shù)為國(guó)內(nèi)汽車(chē)制造商提供可靠的引擎蓋位置傳感器。在1980年初的CTS獲得了成功的連接器和背板制造商在北美洲和蘇格蘭的業(yè)務(wù)。此外，蘇格蘭的連接為CTS的位置傳感器產(chǎn)品打開(kāi)了許多新的歐洲市場(chǎng)機(jī)會(huì)。在之后的十年，為了滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)石英貼片晶振的全球市場(chǎng)需求，CTS完成擴(kuò)建工廠(chǎng)在墨西哥，新加坡，蘇格蘭，美國(guó)，加拿大，香港和臺(tái)灣，進(jìn)一步增加了CTS的全球影響力。

CTS晶振,貼片晶振,SA324晶振,無(wú)源晶振,3225mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
無(wú)源晶振的研磨技術(shù)：通過(guò)對(duì)晶振切割整形后的晶片進(jìn)行研磨，使石英晶振的晶片達(dá)到（厚度/頻率）的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關(guān)系為：在壓電晶體行業(yè)，生產(chǎn)晶振頻率的高低是顯示鴻星技術(shù)水平的一個(gè)方面，通過(guò)理論與實(shí)際相結(jié)合，累積多年的晶振研磨經(jīng)驗(yàn)，通過(guò)深入細(xì)致地完善石英晶振研磨工藝技術(shù)，注重貼片晶振研磨過(guò)程的各種細(xì)節(jié)，注重晶振所用精磨研磨設(shè)備的選擇；注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重石英晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來(lái)越薄，貼片晶振晶片的頻率越來(lái)越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠(chǎng)家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠(chǎng)家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。

振蕩補(bǔ)償:除非在3.2x2.5mm石英晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。CTS晶振,貼片晶振,SA324晶振,無(wú)源晶振

測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)12M進(jìn)口晶振振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀(guān)察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）.

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)3225石英晶體諧振器電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。