SiTime擁有一個(gè)世界級(jí)的模擬工程團(tuán)隊(duì)，該團(tuán)隊(duì)提供了業(yè)內(nèi)最高的性能和最靈活的石英晶體振蕩器。自2006年我們的第一次產(chǎn)品介紹以來(lái)，我們改進(jìn)了頻率穩(wěn)定性性能250次(以性能指標(biāo)衡量)，改進(jìn)了抖動(dòng)性能800次，改善了艾倫偏差3萬(wàn)次，并改善了功耗100次，同時(shí)保持了我們的產(chǎn)品的靈活性和可靠性。計(jì)時(shí)產(chǎn)品提供了所有數(shù)字電子系統(tǒng)的心跳。在所有主要的市場(chǎng)中，有超過(guò)5000個(gè)客戶在200多個(gè)應(yīng)用中使用SiTime產(chǎn)品。
SiTime正在為電子產(chǎn)品的小型化提供支持，它提供的時(shí)間解決方案是行業(yè)中最小的包裹——最小的1.5 x 0.8毫米——以及減少元件數(shù)量的獨(dú)特功能。我們的晶振通過(guò)將同一包中的多個(gè)組件的功能組合在一起，從而減少了董事會(huì)空間。SiTime改變了時(shí)機(jī)市場(chǎng)。在過(guò)去的幾十年里，石英晶體振蕩器、時(shí)鐘發(fā)生器和諧振器是電子器件中主要的參考計(jì)時(shí)元件。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振

SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振.產(chǎn)品本身有兩個(gè)輸出電壓選項(xiàng)。一種選擇是標(biāo)準(zhǔn)的LVCMOS輸出擺幅。第二個(gè)選項(xiàng)是NanoDrive減少擺動(dòng)輸出。輸出擺幅是客戶特定的，在200 mV和800 mV之間編程。直流耦合應(yīng)用，輸出VOH和VOL單獨(dú)編程，以滿足客戶的要求。 VOH編程范圍為100 mV增量，介于600 mV和1.225V之間。同樣，VOL編程范圍在350 mV和800 mV之間。例如; PMIC或MCU內(nèi)部為1.8V邏輯兼容，需要1.2V VIH和0.6V VIL。
SiTime有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。

抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用有源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞美國(guó)有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

振蕩電路的檢查方法
振蕩頻率測(cè)量
必須盡可能地測(cè)量安裝在電路上的2012貼片晶振振蕩頻率的真實(shí)值，
使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,
我們的目標(biāo)是通過(guò)限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來(lái)測(cè)量。SiTime晶振,有源晶振,SiT1533晶振
有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最
精確的測(cè)量方法是通過(guò)使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
接觸振蕩電路。
探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過(guò)輸入振蕩電路的輸出來(lái)測(cè)量的。
逆變器進(jìn)入下一階段。
探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。
圖4示出了來(lái)自ic的無(wú)緩沖器輸出接收的情況，由此通過(guò)小尺寸測(cè)量來(lái)最小化探針的效果。
輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。
然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法32.768K石英晶體振蕩器輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于
即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來(lái)測(cè)量。2.0*1.2mm晶體振蕩器,千赫茲有源晶體,SiT1533晶振

此外，OSC晶振振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。
1。測(cè)量緩沖輸出
2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量
三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出

圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的
除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。