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IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振

頻率：15.476MHz~1300.000MHz

尺寸：7.0*5.0*1.5mm

用于輸出時(shí)鐘頻率和內(nèi)部PLL控制寄存器•頻率編程分辨率為435.9Hz÷N•一個(gè)2.5V，3.3V LVDS時(shí)鐘輸出•兩個(gè)用于上電默認(rèn)頻率的控制輸入•LVCMOS / LVTTL兼容控制輸入•RMS相位抖動(dòng)@ 156.25 MHz(12kHz - 20MHz).

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

IDT-1

IDT領(lǐng)先的串行RapidIO®,PCI Express®,電源管理,和先進(jìn)的時(shí)機(jī)解決方案包括網(wǎng)絡(luò)同步產(chǎn)品超越競(jìng)爭(zhēng),使客戶(hù)開(kāi)發(fā)最先進(jìn)的系統(tǒng)。IDT以其有源晶振和行業(yè)領(lǐng)先的時(shí)間組合來(lái)處理汽車(chē)應(yīng)用。IDT在德國(guó)的全資子公司- IDT歐洲有限公司(前身為ZMD AG)運(yùn)營(yíng)其卓越的汽車(chē)中心。本公司卓越的子公司/中心是ts - 16949，根據(jù)iso26262的標(biāo)準(zhǔn)，支持功能性安全要求。
由于微電子器件的功率耗散，熱能的管理很重要，可以從任何電子產(chǎn)品中獲得最好的性能。一種微電子設(shè)備的工作溫度決定了石英晶體振蕩器產(chǎn)品的速度和可靠性。IDT開(kāi)發(fā)了與數(shù)字系統(tǒng)相結(jié)合的半導(dǎo)體解決方案，例如處理器和內(nèi)存，彼此之間，以及物理世界。在IDT，我們認(rèn)為作為一個(gè)行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，我們?cè)诮鉀Q我們星球上一些最偉大的社會(huì)和環(huán)境挑戰(zhàn)方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振
JLX-1

IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振.采用小型無(wú)鉛（RoHS 6）10引腳陶瓷5mm x 7mm x 1.55mm封裝封裝。除了由FSEL0和FSEL1引腳設(shè)置的四個(gè)默認(rèn)上電頻率之外，IDT8N4Q001可以通過(guò)I2C接口進(jìn)行編程，以15.476MHz至866.67MHz和975MHz至1,300MHz之間的時(shí)鐘頻率輸出，具有非常高的精確度頻率步長(zhǎng)為435.9Hz÷N（N為PLL輸出分頻器）。
由于FSEL0和FSEL1引腳被映射到四個(gè)獨(dú)立的PLL分頻器寄存器（P，MINT，MFRAC和N），因此支持在FSEL0和FSEL1控制下將這些寄存器重新編程到其他頻率。擴(kuò)展的溫度范圍支持無(wú)線(xiàn)基礎(chǔ)設(shè)施，電信和網(wǎng)絡(luò)終端設(shè)備要求。
JLX-2

RB-2

IDT晶振	標(biāo)示	8N4Q001晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	15.476MHz～1300.000MHz
電源電圧	Vcc	＋2.5V、＋2.8V、＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±10×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱(chēng)	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

JLX-3

RB-3

8N4Q001 7050 XO

JLX-4

噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級(jí)別(過(guò)高)的不相干(外部的)噪音，可能導(dǎo)致會(huì)引發(fā)功能失?；驌舸┑拈]門(mén)或雜散現(xiàn)象。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
電源線(xiàn)路
電源的線(xiàn)路阻抗應(yīng)盡可能低。
輸出負(fù)載
建議將輸出負(fù)載安裝在盡可能靠近石英晶體振蕩器的地方（在20 mm范圍之間）。
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會(huì)引起噪聲響應(yīng)，從而導(dǎo)致非正常工作。同時(shí)，當(dāng)P通道和N通道都處于打開(kāi)時(shí)，電源功率消耗也會(huì)增加；因此，請(qǐng)將未用輸入終端連接到VCC 或GND。
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的SMD振蕩器的產(chǎn)品特性，并導(dǎo)致塑料封裝里的線(xiàn)路擊穿。必須避免這種情況。7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振
安裝方向
進(jìn)口晶體振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰，因此安裝時(shí)，請(qǐng)檢查安裝方向是否正確。
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電，否則會(huì)導(dǎo)致六腳有源晶振無(wú)法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作。

JLX-5

RB-5

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

scbx_1

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。IDT晶振,XO晶振,8N4Q001晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀(guān)察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)。）7050時(shí)鐘晶體振蕩器,進(jìn)口XO有源晶體,8N4Q001晶振