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TXC晶振,石英晶振,8Z晶體

頻率：12.000MHz~54.000MHz

尺寸：2.5*2.0*0.55mm

2520mm體積的晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線(xiàn)通訊系統(tǒng),無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

臺(tái)灣晶技為一專(zhuān)業(yè)之頻率組件與感測(cè)組件供貨商,自1983年成立以來(lái),始終致力于石英晶振相關(guān)諧振器,振蕩器等頻率組件之研發(fā),設(shè)計(jì),生產(chǎn)與銷(xiāo)售.經(jīng)過(guò)三十年的努力,臺(tái)灣晶技總公司而外,另設(shè)有平鎮(zhèn),寧波,重慶等生產(chǎn)基地.8Z晶振,四腳無(wú)源貼片晶振,12MHz進(jìn)口石英晶體

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TXC晶振,石英晶振,8Z晶體,做為臺(tái)灣首屈一指的晶振大品牌,臺(tái)灣晶技公司生產(chǎn)的這款晶振無(wú)論是尺寸,外觀還是參數(shù)性能,都可以與日系的石英晶振相提并論,8Z晶體還通過(guò)了歐盟的ROHS指令認(rèn)證,因此也是一顆環(huán)保型晶振.

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TXC晶振	符號(hào)	8Z晶振	TXC晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~54.000MHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C — +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C — +70°C	TXC晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±10ppm、±30ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	8pF, 10pF, 12pF	可按客戶(hù)需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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抗沖擊
TXC 2520貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。TXC晶振,石英晶振,8Z晶體
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解金屬面貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶體8Z-臺(tái)灣晶技SMD晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。8Z晶振,四腳無(wú)源貼片晶振,12MHz進(jìn)口石英晶體
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。8Z晶振,四腳無(wú)源貼片晶振,12MHz進(jìn)口石英晶體

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。TXC晶振,石英晶振,8Z晶體

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