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Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：5.2*1.4mm

32.768KHz千赫子時(shí)鐘晶體，其本身主要應(yīng)用在時(shí)鐘控制產(chǎn)品，或者是控制模塊，主要給時(shí)鐘芯片提供一個(gè)基準(zhǔn)信號(hào)，其主要各項(xiàng)功能還得看應(yīng)用何種產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面型音叉式石英晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.

訂購(gòu)熱線(xiàn)：0755-27837162

Abracon公司成立于1992年，總部位于德克薩斯州的斯派伍德，是全球領(lǐng)先的被動(dòng)和機(jī)電同步、同步、電力、連通性和射頻解決方案的制造商Abracon提供了廣泛的石英定時(shí)晶體和振蕩器，MEMS振蕩器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，藍(lán)牙模塊，陶瓷諧振器，鋸濾器和諧振器，功率和射頻電感，變壓器，電路保護(hù)元件和射頻天線(xiàn)和無(wú)線(xiàn)充電線(xiàn)圈。32.768千赫子時(shí)鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振
奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的制造商被動(dòng)&機(jī)電時(shí)間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)32.768K晶振產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實(shí),便攜式音頻、視頻/電話(huà)會(huì)議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無(wú)人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專(zhuān)業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。

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Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振,超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面插件音叉型晶體諧振器,手機(jī)晶體,產(chǎn)品體積小,特別適用于各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼產(chǎn)品,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿(mǎn)足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線(xiàn)要求.
石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對(duì)晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對(duì)晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱(chēng)為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。32.768千赫子時(shí)鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振

Abracon晶振	單位	AB26TRQ晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1μW Max.	推薦:1μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	-0.035 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

AB26TRQ 5.2-1.45

JLX-4

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晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)：1：抗沖擊:抗沖擊是指無(wú)源DIP晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射。3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英進(jìn)口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。6：靜電:過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。32.768千赫子時(shí)鐘晶體,耐熱音叉式晶體諧振器,AB26TRQ晶振

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驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明進(jìn)口32.768K晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.Abracon晶振,石英晶振,AB26TRQ晶振,插件晶振

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量無(wú)源插件晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線(xiàn)）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線(xiàn)模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在32.768K音叉表晶振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在無(wú)源音叉晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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