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Abracon晶振,貼片晶振,ABM8W晶振,歐美進(jìn)口晶振

頻率：10~54MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從10MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

Abracon的Pierce分析儀系統(tǒng)（PAS）由我們的工程師設(shè)計(jì)，可幫助您為行業(yè)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)做出正確的選擇。 PAS測(cè)試驗(yàn)證了電路中的石英晶體性能，同時(shí)測(cè)量晶體，晶體振蕩器和印刷電路板寄生效應(yīng)。測(cè)試系統(tǒng)中所有變量的帳戶，并使晶體參數(shù)與MCU或RF芯片組中的電路板和振蕩器實(shí)現(xiàn)理想的匹配。這對(duì)于使用下一代需要最佳gm因子的節(jié)能技術(shù)尤其重要。
較低的CL和較低的ESR提高了回路的運(yùn)行增益裕度，確保了所有變量的持續(xù)振蕩，包括偏差，負(fù)載，溫度和時(shí)間變化。 Gm_critical是晶體必須實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵跨導(dǎo)值，以保持在環(huán)路運(yùn)行的安全區(qū)域。不符合gm_critical的石英晶振與Pierce振蕩器不匹配，并可能導(dǎo)致與啟動(dòng)相關(guān)的長(zhǎng)期可靠性問(wèn)題。由于給定的Pierce振蕩器的功耗降低gm和gm_crictical，部署在物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴應(yīng)用中的節(jié)能設(shè)計(jì)最有可能發(fā)生故障。進(jìn)行PAS測(cè)試可降低風(fēng)險(xiǎn)并提高系統(tǒng)的可靠性。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

Abracon晶振,貼片晶振,ABM8W晶振,歐美進(jìn)口晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對(duì)晶體組件進(jìn)行退火，石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高無(wú)源晶振的年老化特性。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減??；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

Abracon晶振	單位	ABM8W晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10~54MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	10~100μW Max.	推薦:10~100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±10× 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	4pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

ABM8W 3225

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

石英進(jìn)口晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。Abracon晶振,貼片晶振,ABM8W晶振,歐美進(jìn)口晶振
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng):(1)陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品:在焊接陶瓷封裝晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
（2）陶瓷包裝石英晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝進(jìn)口貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。陶瓷封裝貼片晶振:在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝貼片晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。

高穩(wěn)定性假貼片晶振,金屬封裝大型諧振器,ABLS晶振

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)貼片石英晶體諧振器電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。Abracon晶振,貼片晶振,ABM8W晶振,歐美進(jìn)口晶振

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測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)進(jìn)口陶瓷晶體振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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1.振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到金屬殼四腳無(wú)源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在3225SMD晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。

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