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西鐵城晶振,進(jìn)口晶振,CM250C晶體

頻率：30KHz~100KHz

尺寸：8.0*3.8mm

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

西鐵城在音叉水晶表晶振動(dòng)子（石英晶振）這一領(lǐng)域也是遙遙領(lǐng)先的，與日本元器件品牌愛普生晶振，日本精工晶振seiko,日本大真空KDS晶振,日本村田陶瓷晶振murata,并稱世界日產(chǎn)五大品牌。對于西鐵城晶振動(dòng)子,其要求相比其他各大品牌，工藝也是非常之嚴(yán)格。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振

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西鐵城晶振,進(jìn)口晶振,CM250C晶體,這一款產(chǎn)地來自日本的進(jìn)口無源石英晶體,從研發(fā)成功到批量投入市場一直是大尺寸晶振中的佼佼者,因?yàn)镵Hz的8038mm的貼片晶振并不多,現(xiàn)在做的比較好的除了西鐵城株式會(huì)社,就是同是日系品牌的KDS大真空晶振和愛普生晶振公司,但最受歡迎的還是西鐵城的這款CM250C晶體.

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西鐵城晶振	符號	CM250C晶振	西鐵城晶振基本信息對照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	30KHz~100KHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 需求,請聯(lián)系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±30ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3 ×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

CM200S-CM250Scct

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PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。西鐵城晶振,進(jìn)口晶振,CM250C晶體
(4) 請按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存CM250C晶振時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害進(jìn)口貼片晶振。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的32.768K貼片晶振-單片機(jī)晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振
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輸出波形與測試電路
1.時(shí)序表

2測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。西鐵城晶振,進(jìn)口晶振,CM250C晶體
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。CM200C同系列晶振,32.768K陶瓷面石英晶體,CM250C晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）