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西鐵城晶振,石英晶振,CS325S晶振

頻率：12.000MHz~54.000MHz

尺寸：3.2*2.5mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從12MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

西鐵城于2001年7月在梧州投資成立領(lǐng)冠電子(梧州)有限公司,注冊(cè)資本3000萬(wàn)元港幣,主要生產(chǎn)石英晶振、手表、液晶反光塊及其它新型電子元器件,當(dāng)年12月投產(chǎn),2002年出口額為1000多萬(wàn)美元。進(jìn)口3225mm石英晶體諧振器,12MHz貼片無(wú)源晶振,CS325S晶體

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西鐵城晶振,石英晶振,CS325S晶振,3.2*2.5mm尺寸的石英晶振一直以來(lái)都是整個(gè)行業(yè)里的"寵兒",因其用量最多,使用領(lǐng)域廣,幾乎各行各業(yè)都可以用得上這款晶振,其中CITIZEN晶振公司量產(chǎn)的這款CS325S晶振,采用金屬殼四腳表面貼片型的設(shè)計(jì),可以充分的發(fā)揮出抗沖擊性,耐高溫,低耗電等優(yōu)勢(shì).

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西鐵城晶振	符號(hào)	CS325S晶振參數(shù)	西鐵城晶振基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	12.000MHz~54.00MHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C — +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C — +85°C	西鐵城晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	10μW (100μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛鑫電子
精度	f_— l	±30ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	10pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±5×10^-6 / year Max.	+25°C, 第一年

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CS325Scct

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超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面波濾波器的產(chǎn)品，可以通過(guò)超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會(huì)受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。西鐵城晶振,石英晶振,CS325S晶振
（2）使用時(shí)鐘晶振和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無(wú)法確保能夠通過(guò)超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。
（3）請(qǐng)勿清洗開(kāi)啟式產(chǎn)品
（4）對(duì)于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對(duì)進(jìn)口晶振產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。進(jìn)口3225mm石英晶體諧振器,12MHz貼片無(wú)源晶振,CS325S晶體
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2 Re
其中i表示經(jīng)過(guò)西鐵城3225mm晶振的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加SMD晶振-小型SMD貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。西鐵城晶振,石英晶振,CS325S晶振

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致3225mm無(wú)源晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。進(jìn)口3225mm石英晶體諧振器,12MHz貼片無(wú)源晶振,CS325S晶體
其中CS表示電路的雜散電容。