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Statek晶振,貼片晶振,CX1HSM晶振,無(wú)源晶振

頻率：10~600KHZ

尺寸：8.00*3.56mm

小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

KHZ貼片音叉晶體,便攜式8.00*3.56mm晶振,CX1HSM晶振

Statek公司是設(shè)計(jì)和制造高可靠性頻率控制產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)者，它宣布了DFXO石英晶體諧振器的發(fā)布。微分輸出石英晶體振蕩器可用LVDS和LVPECL輸出。這5毫米x7毫米高頻(20 MHz到300mhz)振蕩器的特點(diǎn)是低相位噪聲和低相位抖動(dòng)，達(dá)到155.52 MHz的基本晶體頻率。適用于Xilinx FPGA參考時(shí)鐘應(yīng)用。提出了擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍(-40°C + 105°C)。內(nèi)部解耦電容;不需要外部電容器。KHZ貼片音叉晶體,便攜式8.00*3.56mm晶振,CX1HSM晶振
Statek提供高精確度和高質(zhì)量的石英貼片晶振的醫(yī)療應(yīng)用。產(chǎn)品包裝尺寸小，功耗低，穩(wěn)定性好。我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商。我們的晶體在許多醫(yī)學(xué)應(yīng)用中都有，包括醫(yī)療遙測(cè)裝置，起搏器，除顫器，神經(jīng)刺激器，輸液泵，葡萄糖監(jiān)測(cè)儀，助聽(tīng)設(shè)備等等。設(shè)計(jì)援助是可用的。Statek的水晶和振蕩器非常堅(jiān)固，使它們成為環(huán)境要求高的應(yīng)用的絕佳選擇。對(duì)于最終的堅(jiān)固性，我們的晶體和振子可以經(jīng)受住沖擊，超過(guò)100,000克。

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Statek晶振,貼片晶振,CX1HSM晶振,無(wú)源晶振,小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)10.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過(guò)滾筒倒邊，主要是為了去陶瓷晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理，有一項(xiàng)不完善都會(huì)使晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過(guò)大，用在電路中Q值過(guò)小，從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減?。?.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。KHZ貼片音叉晶體,便攜式8.00*3.56mm晶振,CX1HSM晶振

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STATEK晶振	單位	CX1HSM晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10~600kHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ~+125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±2× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±3 × 10-6/-55°C ~ +200°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	2pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-55°C — +200°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?span style="font-size:16px;word-spacing:-1.5px">SMD石英晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 Statek晶振,貼片晶振,CX1HSM晶振,無(wú)源晶振
晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的無(wú)源進(jìn)口晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。
機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)歐美晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。KHZ貼片音叉晶體,便攜式8.00*3.56mm晶振,CX1HSM晶振

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振蕩補(bǔ)償:除非在進(jìn)口貼片晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。Statek晶振,貼片晶振,CX1HSM晶振,無(wú)源晶振

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測(cè)試條件(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量貼片石英晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

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晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在陶瓷面貼片晶振泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于聲表面諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

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