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Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

頻率：10.000KHz~600.000KHz

尺寸：8.38*3.94*1.78mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

Statek-2

Statek提供高精確度和高質(zhì)量的貼片晶振的醫(yī)療應(yīng)用。產(chǎn)品包裝尺寸小，功耗低，穩(wěn)定性好。我們是世界一流醫(yī)療器械制造商的信賴供應(yīng)商。Statek在陶瓷封裝中使用玻璃或陶瓷外殼組裝晶體諧振器。Statek產(chǎn)品比機械制造的水晶產(chǎn)品要小得多。Statek晶體、振蕩器和傳感器的典型特征是:高穩(wěn)定性和精密頻率，低長期老化，，低功耗，非常小的足跡，優(yōu)秀的耐沖擊性，超低調(diào)，在美國設(shè)計和制造和設(shè)計能力。
Statek的晶體和石英振蕩器非常堅固，使其成為對環(huán)境要求較高的應(yīng)用的絕佳選擇。我們的晶體和振蕩器可以承受高達100,000克的沖擊，并且堅固耐用。Statek為醫(yī)療應(yīng)用提供高精度和高質(zhì)量的石英晶體。我們的產(chǎn)品具有小封裝尺寸，低功耗和高穩(wěn)定性。我們是全球領(lǐng)先的植入式醫(yī)療設(shè)備制造商值得信賴的供應(yīng)商。

JLX-1

Statek-1

Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,工作溫度范圍：-55OC ~+200OC，最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時鐘部分.
Statek石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。無源晶體該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

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STATEK晶振	單位	CX1VHT晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C~ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-55°C ~+200°C	標準溫度
激勵功率	DL	0.5μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±30 × 10^-6 (標準), (±30× 10^-6~±200× 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-55°C ~ +200°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	9pF	不同負載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5× 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CX1-10183_8.0_3.56

JLX-4

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操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力，會導(dǎo)致時鐘晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?（請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致石英晶體諧振器振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強力調(diào)整，可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明陶瓷貼片晶振單元所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Statek晶振,貼片晶振,CX1VHT晶振

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