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京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振
頻率：16.000MHz~60.000MHz
尺寸：2.0*1.6*0.4mm
晶振技術參數點擊下載
京瓷的全球業(yè)務提供各種各樣的產品，包括先進的材料、部件、設備、設備、網絡工程和其他服務。每個產品線管理團隊通過整合京瓷集團技術來解決新出現的趨勢，積極開發(fā)新產品和新市場。我們本著“顧客至上”的原則，通過在價格、質量、服務和交貨等方面的全面客戶滿意度來創(chuàng)造新的價值。進口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體
京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振,在很長的一段時間里,2016mm是MHZ級石英晶振里最小的尺寸,KYOCERA公司的這款CX2016DB晶振一經問世便引起業(yè)界的轟動,吸引來自五十多個國家的生產廠家的注意爭相使用,并且都給出了較高的贊譽.
|
京瓷晶振 |
單位 |
CX2016DB晶振 |
石英晶振基本條件 |
|
標準頻率 |
f_nom |
16.000MHZ~60.000MHZ |
標準頻率 |
|
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +125°C |
裸存 |
|
工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +125°C |
標準溫度 |
|
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
|
頻率公差 |
f_— l |
±15 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
|
頻率溫度特征 |
f_tem |
±15 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
|
負載電容 |
CL |
8pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
|
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
|
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內使用石英晶振CX2016DB。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致京瓷小體積晶振特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致2016mm晶體諧振器振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。進口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體
設計振蕩回路的注意事項
1.驅動能力
驅動能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：
驅動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。京瓷晶振,石英晶體諧振器,CX2016DB晶振
2.振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。
3.負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。進口2016石英晶體諧振器,京瓷16M貼片晶振,CX2016DB晶體
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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