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京瓷晶振,貼片晶振,CX3225GB晶體

頻率：9.800MHz~54.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.8mm

小型,超薄型具備強防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

訂購熱線：0755-27837162

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京瓷把“客戶第一”的原則放在首位，以確保我們提供的產(chǎn)品和服務(wù)始終使人們滿意。顧客滿意要求我們對周圍的不斷變化作出快速反應(yīng)。京瓷晶振公司致力于創(chuàng)造超越客戶期望的價值。品牌承諾的性能，驚奇和喜悅在技術(shù)實力、優(yōu)質(zhì)的區(qū)域，和響應(yīng)。每個產(chǎn)品線管理團隊通過整合京瓷集團技術(shù)來解決新出現(xiàn)的趨勢，積極開發(fā)新產(chǎn)品和新市場。

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JC-2 京瓷晶振,貼片晶振,CX3225GB晶體,表面陶瓷面四腳SMD型3225mm封裝,日本京瓷晶振公司量產(chǎn)的這一款石英晶體諧振器通過了AEC-Q200認(rèn)證,CX3225GB晶體被確認(rèn)為最適合用于智能汽車車載電子的石英晶體,工作時溫度達到-40℃~+125℃,具有極好的耐高溫特性.

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京瓷晶振	單位	CX3225GB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	9.800MHZ~54.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +150°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±200 × 10-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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CX3225GB CX3225CA 3225

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裝載
＜SMD產(chǎn)品＞
SMD晶體產(chǎn)品支持自動貼裝，但還是請預(yù)先基于所使用的搭載機實施搭載測試，確認(rèn)其對特性沒有影響。在切斷工序等會導(dǎo)致基板發(fā)生翹曲的工序中，請注意避免翹曲影響到產(chǎn)品的特性以及軟焊。基于超聲波焊接的貼裝以及加工會使得京瓷CX3225GB晶體諧振器產(chǎn)品內(nèi)部傳播過大的振動，有可能導(dǎo)致特性老化以及引起不振蕩，因此不推薦使用。
＜引線類型產(chǎn)品＞
當(dāng)引線彎折、成型以及貼裝到印制電路板時，請注意避免對基座玻璃部分施加壓力。否則有可能導(dǎo)致玻璃出現(xiàn)裂痕，從而引起性能劣化。
保管
保管在高溫多濕的場所可能會導(dǎo)致陶瓷面晶振端子軟焊性的老化。請在沒有直射陽光，不發(fā)生結(jié)露的場所保管。
其他
＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓CX3225GB貼片晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。

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輸出波形與測試電路
1.時序表

2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。TXC晶振,進口晶振,8Y晶振
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。京瓷晶振,石英晶振,CX2520DB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）