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溫補(bǔ)晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振

頻率：9.600MHz~52.000MHz

尺寸：2.5*2.0*0.8mm

溫補(bǔ)晶振（TCXO）產(chǎn)品本身具有溫度補(bǔ)償作用,高低溫度穩(wěn)定性:頻率精度高0.5 PPM~2.0PPM,工作溫度范圍: - 30度~85度,電源電壓:1.8V~3.3V之間可供選擇,產(chǎn)品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

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KDS產(chǎn)品在業(yè)界屬于高端產(chǎn)品,其應(yīng)用偏向中高端市場(chǎng). 接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),KDS振蕩器,跟普通的KDS晶體諧振器,兩者有一定的區(qū)別,晶體振蕩器是在壓電石英晶片兩邊施加機(jī)械壓力,在壓電石英晶片的放心產(chǎn)生電場(chǎng),這樣的現(xiàn)象為壓電效應(yīng),普通石英晶體振蕩器一般應(yīng)用范圍就一般的電子數(shù)碼產(chǎn)品.DSB221SCB晶振,2520mm進(jìn)口溫補(bǔ)晶體振蕩器,SMD型有源晶振

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溫補(bǔ)晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振,雖然不是最小型最薄型的一款TCXO晶振,但卻是市面上最常用的一種尺寸,每月產(chǎn)量達(dá)到6000萬顆,銷售全世界一百多個(gè)國(guó)家,成為人氣最高的一顆"明星"晶振,采用當(dāng)今最先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和近乎完美的工藝精心打造而成,因此才獲得全球用戶的支持和認(rèn)可.

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溫補(bǔ)晶振	標(biāo)示	DSB221SCB晶振	晶振基本信息對(duì)照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	9.600MHz～52.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動(dòng)特性、経時(shí)変化(1年、＋25℃時(shí))
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對(duì)稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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DSA221SCL DSB221SCL DSB221SCB

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超聲波清洗
(1)使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進(jìn)行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會(huì)受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。溫補(bǔ)晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振
(2)使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗，因?yàn)榫w可能受到破壞。
(3)請(qǐng)勿清洗開啟式產(chǎn)品
(4)對(duì)于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對(duì)產(chǎn)品產(chǎn)生負(fù)面影響的清洗劑或溶劑等。
(5)焊料助焊劑的殘留會(huì)吸收水分并凝固。這會(huì)引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會(huì)負(fù)面影響產(chǎn)品的可靠性和質(zhì)量。請(qǐng)清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。DSB221SCB晶振,2520mm進(jìn)口溫補(bǔ)晶體振蕩器,SMD型有源晶振

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。溫補(bǔ)晶振,石英晶振,DSB221SCB晶振

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。