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溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振

頻率：9.600MHz~52.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.9mm

貼片式溫補振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH/SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

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日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.節(jié)省勞動力,自動化生產(chǎn)設(shè)施的優(yōu)勢,以滿足交貨時間和需求是你選擇KDS品牌最佳的或者伙伴.進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振

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溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振,3.2*2.5mm是市場上較為常用的晶振體積,TCXO晶振本身的優(yōu)越性能加上3225的尺寸,使這款溫補晶體振蕩器具有多用途特性,每年為KDS株式會社帶來上億的產(chǎn)值,即使是在更小的2016mm和2520mm溫補晶振面前也毫不遜色.

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溫補晶振	標(biāo)示	DSB321SCB晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	9.600MHz～52.000MHz
電源電圧	Vcc	＋1.8V,＋2.6V,＋2.8V,＋3.0V,＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	CMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±1.5ppm	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、L_CMOS=15pF

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DSA321SCL DSB321SCL DSB321SCB

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抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如有源晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶體振蕩器或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用溫度補償晶體振蕩器。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振

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輸出波形與測試電路
1.時序表

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2.測試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。溫補晶振,貼片晶振,DSB321SCB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。進(jìn)口3225有源晶體振蕩器,小型溫補晶體振蕩器,DSB321SCB晶振
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請勿使用該探頭的長接地線。）