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KDS晶振,貼片晶振,DST310S晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：3.2*1.5mm

32.768K時(shí)鐘晶體具有小型,薄型,輕型的貼片晶振表面音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

晶振技術(shù)參數(shù)點(diǎn)擊下載

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日本大真空株式會(huì)社,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊旖蛲顿Y.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.KDS集團(tuán)公司在2008年發(fā)布,研發(fā)并且已經(jīng)出樣的小型貼片有源晶振【TCXO】,產(chǎn)品應(yīng)用到GPS設(shè)備,小型高精度SMD溫補(bǔ)晶振DSB321SDA/DSB221SDA,同時(shí)發(fā)布可以接受訂單.
KDS晶振性能穩(wěn)定,精度高,體積小,在惡劣環(huán)境也能正常工作,TCXO溫補(bǔ)晶振溫度穩(wěn)定度可達(dá)±0.5PPM.在普通晶體諧振器和振蕩器中,我們可接受高頻率和偏頻率以及少數(shù)量的高精度寬溫的制作. 從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶體為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.

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KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振.貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
KDS石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

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KDS晶振	符號(hào)	DST310S晶體	基本信息對(duì)照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768kHz
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃~+85℃	裸存
工作溫度	T_use	-40℃~+85℃	KDS晶振特定的溫度
激勵(lì)功率	DL	0.2μW (1.0μW Max.)	如你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 需求,請(qǐng)聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20 ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點(diǎn)溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	7pF/9pF/12.5pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	70kΩ Max.	70kΩ ~ 45kΩ
頻率老化	f_age	±3×10^-6/year Max.	+25℃, 第一年

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DST310SWCT

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抗沖擊

晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如32.768K晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果進(jìn)口晶振已受過沖擊請(qǐng)勿使用。

輻射

暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境

請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口貼片晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用高精度晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振

靜電

過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說明3215晶體諧振器所需電功率，其計(jì)算公式如下：
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。KDS晶振,石英晶振,DST310S晶振

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2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加3215貼片晶振振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

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3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致3215封裝晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。DST310S晶振,金屬殼二腳貼片晶振,32.768K石英晶體諧振器

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