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KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體

頻率：32.000MHz~96.000MHz

尺寸：1.2*1.0*0.3mm

小體積貼片1210mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,這款貼片晶振適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型(1.2*1.0*0.3mmtyp.)具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高的耐熱性強.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動子,剛投資建廠時主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.
KDS石英晶振以優(yōu)良的產(chǎn)品迅速占領(lǐng)了中國市場,KDS品牌以在國內(nèi)電子元件中深入民心,KDS晶振以專業(yè)化系統(tǒng)在全國各地的工廠生產(chǎn).KDS晶振技術(shù)部門實驗兼容低電壓的工作,這是在GPS接收器中要使用的IC的趨勢.此款溫補晶振可以在1.8 V操作,也可以在很寬的電壓范圍工作+3.6V~+1.7V一樣,也可以用正常使用.KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體

KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體.該產(chǎn)品體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高的溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英水晶振動子的年老化特性。

KDS晶振	符號	DSX1210A晶振	基本信息對照表
Crystal標準頻率	f_nom	32.000MHz~96.000MHz
儲存溫度	T_stg	-40°C ~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ~+85°C	KDS晶振特定的溫度
激勵功率	DL	10μW (100μW Max.)	如你有最大激勵功率為100μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負載電容	CL	8pF,10pF,12pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±3×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

DSX1210A

表面貼裝晶體振蕩器的安裝
（1）振蕩器振動后溫度快速變化
安裝在板上當安裝板的材料時，用于表面安裝陶瓷晶體振蕩器封裝，有膨脹系數(shù)不同于膨脹系數(shù)陶瓷，焊接的圓角部分可能會裂開環(huán)境重復(fù)和極端溫度變化會在很長一段時間內(nèi)發(fā)生。在這種情況下，建議事先檢查情況。
（2）自動安裝引起的沖擊
當晶體振蕩器被吸附或吸附時自動安裝或超過規(guī)定的沖擊安裝在電路板上時給出的值，這會導(dǎo)致其特性發(fā)生變化或惡化。
（3）板彎曲應(yīng)力
如果在焊接無源晶振單元后PC板彎曲對于PC板，機械應(yīng)力可能會導(dǎo)致焊接部分剝落或晶體單元封裝裂紋。
清潔
請勿使用以下水晶進行浸泡清潔
儲存
晶體振蕩器的環(huán)境溫度和濕度儲存應(yīng)根據(jù)常溫和正常情況而定濕度（+5至45°C和10至75％）。溫度和濕度以上顯示的是確保環(huán)境的環(huán)境標準晶體振蕩器的特性在進入時不會惡化使用或在長時間不使用電源后使用施加電源電壓。但是，電氣和機械特性，如振蕩頻率老化特性和焊接性能，可能會隨時間而變化。因此它是建議不要將晶體振蕩器存放起來長期（三個月或更長時間），雖然取決于關(guān)于他們的規(guī)格和配置，存儲期限將不同。
此外，請勿將有源晶體振蕩器存放在環(huán)境中高溫高濕（相對濕度：75％或更多）以及產(chǎn)生腐蝕性氣體的地方。如果你需要在暴露于海洋的環(huán)境中使用晶體振蕩器微風(fēng)或濕度高的地方和露水凝結(jié)容易發(fā)生，考慮使用密封的。KDS晶振,貼片晶振,DSX1210A晶振,小體積石英晶體

振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在貼片晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負載能力。
適當?shù)目刂茻o線通訊晶振電阻值（RD）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33 pF左右，僅供參考。

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負載電容：如果振蕩電路中負載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容

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測試條件：(1) 電源電壓超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他：輸入電容低于 15 pF，5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）