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KDS晶振,貼片晶振,DSX1612SL晶振,日本大真空晶振

頻率：32.000MHz~52.000MHz

尺寸：1.6*1.2*0.33mm

小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-27837162

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日本大真空株式會社,【KDS】品牌,實力見證未來,KDS集團(tuán)總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有生產(chǎn)工廠,而天津KDS工廠是全球石英晶振生產(chǎn)最大量的工廠,自從1993年在天津投產(chǎn)以來,技術(shù)更新從未間斷,從最初的32.768K晶振為主,到現(xiàn)在以小體積貼片石英晶體振蕩器為主,體積已經(jīng)是全世界石英晶體振蕩器之中最小的.
KDS集團(tuán),將促進(jìn)對全球環(huán)保事業(yè)的承諾. 1:努力減少有害物質(zhì)的妥善管理,為客戶提供環(huán)保貼片晶振產(chǎn)品. 2:對于預(yù)防環(huán)境污染和資源的有效利用,我們將妥善處置廢物排放量,再利用和回收工作. 3:防止全球變暖,我們將努力減少二氧化碳排放量和節(jié)約能源活動. 4:我會遵守我們的其他環(huán)境法律,標(biāo)準(zhǔn),協(xié)議同意的要求. KDS晶振,貼片晶振,DSX1612SL晶振,日本大真空晶振

KDS晶振,貼片晶振,DSX1612SL晶振,日本大真空晶振.智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高的精度小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等較高的端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高的溫回流溫度曲線要求.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使時鐘晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。

KDS晶振	符號	DSX1612SL晶振	基本信息對照表
Crystal標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.000MHz~52.000MHz
儲存溫度	T_stg	-30°C ~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ~+85°C	KDS晶振特定的溫度
激勵功率	DL	10μW (100μW Max.)	如你有最大激勵功率為110μW需求,請聯(lián)系我們金洛電子
精度	f_— l	±20ppm	如有需要更高的精度可以特定.
拐點溫度	Ti	+25°C ±5°C
負(fù)載電容	CL	8pF,10pF,12pF	可按客戶需求指定
串聯(lián)電阻（ESR）	R1	70kΩ Max.	70kΩ — 45kΩ
頻率老化	f_age	±5×10-6 / year Max.	+25°C,第一年

滿足功能性能要求
根據(jù)特定的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，支架的內(nèi)部將石英晶體單元抽空或填充惰性氣體以保持其結(jié)構(gòu)特點。
2-1超聲波焊接機(jī)的使用
超聲波焊接機(jī)的使用會導(dǎo)致降解超聲共振引起的工作特性分析水晶碎片。
2-2表面安裝型晶體單元的安裝
（1）嚴(yán)重的溫度變化
在長時間和反復(fù)的嚴(yán)重溫度變化下焊料可能會破裂;這是由于擴(kuò)張造成的印刷線路板的溫度系數(shù)不同材料和貼片陶瓷晶振。如果預(yù)期會出現(xiàn)這種情況并避免此類問題。
（2）自動安裝引起的沖擊
請注意，在自動安裝過程中，此類過程作為吸附，夾緊或安裝到電路板上，可以對晶體單元施加太大的機(jī)械沖擊，并且電氣特性可能會改變或惡化。KDS晶振,貼片晶振,DSX1612SL晶振,日本大真空晶振
（3）彎曲PC板引起的應(yīng)力
如果音叉晶振單元焊接到PC板后，則電路板是彎曲，機(jī)械應(yīng)力可能導(dǎo)致焊接部分剝離或晶體單元包裝破裂。
（4）接地端子
如果晶體單元配有接地端子，請確保將其焊接到GND或電源端子。如果不是接地，可能無法獲得正確的頻率。

負(fù)載電容：如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。1612SMD晶振電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG×CD/（CG+CD）+ CS。其中CS表示電路的雜散電容。

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測試條件：(1) 電源電壓超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他：輸入電容低于 15 pF，5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進(jìn)行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線。）

振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。在超小體積1612晶振的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更高。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，無線電話石英晶體頻帶和設(shè)備的價值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍-33pF左右，僅供參考。

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