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鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振

頻率：10.000MHz~115.000MHz

尺寸：3.2*2.5*0.75mm

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從10MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性.

訂購熱線：0755-27837162

HX-2

鴻星致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務(wù)及價(jià)值，專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵(lì)員工以團(tuán)隊(duì)合作及積極成長的態(tài)度與時(shí)俱進(jìn)。Hosonic成立于1979年初，生產(chǎn)的電阻器和電容器，而轉(zhuǎn)向注重石英晶體諧振器產(chǎn)品自第一液晶生產(chǎn)線在臺(tái)灣設(shè)立1991。此后，公司擴(kuò)大了其在中國大陸生產(chǎn)。因此鴻星建立有機(jī)學(xué)習(xí)成長的平臺(tái)，激勵(lì)跨單位團(tuán)隊(duì)合作的活動(dòng)，要為更好的環(huán)境與產(chǎn)品不斷的改善。金屬殼四腳貼片晶體,進(jìn)口3225石英晶振,E3SB晶振
在以人為本，充分尊重人性的理念上，我們以溝通來達(dá)成共識(shí)，以相互尊重維系組織和諧氣氛，創(chuàng)造適性的工作環(huán)境，讓鴻星成為一個(gè)高度凝聚力的大家庭?，F(xiàn)在，鴻星擁有四個(gè)生產(chǎn)設(shè)施在中國大陸東、南、和九個(gè)銷售和FAE位點(diǎn)和十個(gè)銷售代表和經(jīng)銷商在世界各地。自1979以來，我們一直致力于雙直插封裝（DIP）和表面貼裝器件（SMD）貼片晶振的研究、設(shè)計(jì)、制造和銷售。

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鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振.小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
鴻星石英晶振的切型。采用高速線切割技術(shù)：1.優(yōu)化及嚴(yán)格規(guī)范線切割機(jī)各項(xiàng)設(shè)備參數(shù)；2.通過試驗(yàn)精選所使用的各類線切割料，如：磨料、線切割線、槽輪等；3.確認(rèn)最優(yōu)的石英晶振切割工藝參數(shù)。通過以上方法使切割出的貼片晶振晶片在厚度一致性、平行度、表面粗糙度上都超越其它切割方式，提高了石英晶振晶片的精度，提高了生產(chǎn)效率。

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RB-2

鴻星晶振	單位	E3SB晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10.000MHZ~115.000MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ~+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-30°C ~+85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±10× 10-6 ~±30 × 10-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-30°C ~+85°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	6pF~20pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±2× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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E3SB(Former HCX-3SB) 3225

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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如3225貼片晶振從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致金屬殼四腳貼片晶體諧振器所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。金屬殼四腳貼片晶體,進(jìn)口3225石英晶振,E3SB晶振
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞鴻星3225晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。

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輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

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2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。鴻星晶振,3225石英晶體,E3SB晶振
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）金屬殼四腳貼片晶體,進(jìn)口3225石英晶振,E3SB晶振