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京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

頻率：1.5~50MHZ

尺寸：2.0*1.6mm

小體積貼片2016mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體振蕩器,因本身體積小等優(yōu)勢(shì),適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振, 石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,衛(wèi)星系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-EXPress的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

京瓷晶振集團(tuán)在全球的事業(yè)涉及原料、零件、設(shè)備、機(jī)器，以及服務(wù)、網(wǎng)絡(luò)等各個(gè)領(lǐng)域。在集團(tuán)內(nèi)部，若將相關(guān)的有源晶振,壓控晶體振蕩器, 晶振,石英晶振, 石英晶體振蕩器等產(chǎn)品和事業(yè)視為一條生產(chǎn)線，其開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及物流等等，所有程序都被有機(jī)地結(jié)合起來(lái)，并且有效地利用現(xiàn)有經(jīng)營(yíng)資源，通過(guò)發(fā)揮協(xié)同效應(yīng)，使其構(gòu)筑得更加牢固。

京瓷晶振所有的生產(chǎn)線都具備順應(yīng)時(shí)代變化的速度感，通過(guò)融合集團(tuán)的獨(dú)特技術(shù)，進(jìn)一步積極創(chuàng)造新產(chǎn)品、開(kāi)拓新市場(chǎng)。為了回應(yīng)客戶的期待，京瓷石英晶體振蕩器,有源晶振，石英晶振 ,壓控振蕩器,在價(jià)格、質(zhì)量、服務(wù)等所有方面都滲透“客戶第一”的理念，不斷為全球市場(chǎng)奉獻(xiàn)新價(jià)值。

京瓷晶振規(guī)格	KC2016B-C1晶振
驅(qū)動(dòng)輸出	CMOS
常用頻率	1.5~50MHZ
工作電壓	+1.6~3.63V（代表値）電源電圧は+1.7V～+3.3V範(fàn)囲の任意の電圧で動(dòng)作可能
靜態(tài)電流	（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） +1.6 mA max. (F＞26MHz)（スタンバイ時(shí)）+1μA以下
TCXO輸出電壓	0.8Vp-p min.
TCXO輸出負(fù)載	（10kΩ//10pF) ±10％
常規(guī)溫度偏差	±20/30/50×10-6 (After 2 reflows)
頻率溫度偏差	±30×10-6/-40℃～+85℃
頻率溫度偏差	±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション）

Kyocera日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Series	Part Status	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Operating Temperature 工作溫度	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC5032A-C1, Kyocera	Active	100MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.047" (1.20mm)

Kyocera日產(chǎn)有源兆赫茲晶振代碼列表：

Manufacturer Part Number	Manufacturer	Series	Part Status	Frequency 頻率	Voltage - Supply電壓	Operating Temperature 工作溫度	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2016B25.0000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2016B-C1, Kyocera	Active	25MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)	0.022" (0.55mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC2520C38.4000C1LE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC2520C-C1, Kyocera	Active	38.4MHz	1.8V	-40°C ~ 85°C	0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)	0.028" (0.70mm)
KC5032A100.000C1GE00	AVX Corp/Kyocera Corp	KC5032A-C1, Kyocera	Active	100MHz	1.6 V ~ 3.63 V	-40°C ~ 85°C	0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)	0.047" (1.20mm)

KC2016B_c1_2.0_1.6

晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>CMOS晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

2016晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)金屬面晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。

此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。京瓷晶振,有源晶振,KC2016B-C1晶振,KC2016B25.0000C1GE00晶振

20181212163831

測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量2016低相位振蕩器頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

20181212163902

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在小體積MHZ系列晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)2016金屬面晶振測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。

20181212163842