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Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

頻率：12.800MHz~155.520MHz

尺寸：14.10*9.02*5.33mm

14*9mm體積的有源晶振電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接(無鉛對應(yīng)),為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

訂購熱線：0755-27837162

康納•溫菲爾德公司在所有層次上都致力于滿足客戶的所有要求，通過不斷的測量、審核和改進(jìn)我們的晶振產(chǎn)品、服務(wù)以及質(zhì)量管理體系的有效性，提高客戶滿意度。我們相信質(zhì)量在我們的產(chǎn)品組裝之前就已經(jīng)開始了。通過保持我們的ISO 9001質(zhì)量體系認(rèn)證，持續(xù)改進(jìn)我們的流程是我們不斷超越客戶期望的承諾。康納溫菲爾德的子公司和業(yè)務(wù)單位包括康諾-溫菲爾德全球計時解決方案，NavSync,Ltd .，Janus遠(yuǎn)程通信和混合電路工程。
CONNOR-WINFIELD晶振集團(tuán)建立一種可測量的發(fā)展和改進(jìn)的目標(biāo)指標(biāo)，定期進(jìn)行內(nèi)審和管理評審。在現(xiàn)有的或新生的各種活動中不斷監(jiān)測和改進(jìn)環(huán)境績效。通過對溫補晶振生產(chǎn)活動的持續(xù)改進(jìn)和促進(jìn)對低效或無效的環(huán)境法律法規(guī)進(jìn)行合理化轉(zhuǎn)變，努力提高環(huán)境管理中資本的效力。與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個免于事故的工作場所。重視污染預(yù)防，消除偏離程序的行為強調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營活動的環(huán)境績效。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

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ConnorWinfield-2

ConnorWinfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振.產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.面貼片型產(chǎn)品.（可對應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進(jìn)行選擇.
康納溫菲爾德有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設(shè)計匹配技術(shù)：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應(yīng)電壓、起動電壓和產(chǎn)品上升時間、下降時間等相關(guān)參數(shù)。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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Connor-Winfield晶振	標(biāo)示	TFLD546晶振	晶振基本信息對照表
標(biāo)準(zhǔn)范圍	f0	12.800MHz~155.520MHz
電源電圧	Vcc	＋3.3V
輸出電流	Icc	3.5 mA max.	Vcc=3.3V
頻率負(fù)載	L_CMOS	15pF	LVCMOS 出力
標(biāo)準(zhǔn)頻率偏差	f_tol	±4.6×10-6 max.	初期偏差、周波數(shù)溫度特性、電源、負(fù)荷変動特性、経時変化(1年、＋25℃時)
輸出電壓	V	VOH:Vcc×90% min.VOL:Vcc×10% max.
對稱	SYM	40%～60%	50% Vcc
標(biāo)準(zhǔn)時間	tr/tf	12 ns max.(1.8～80MHz)	10%Vcc～90%、LVCMOS=15pF

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tx101 9-14 TCXO

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＜晶體諧振器＞
如果過大的激勵電力對石英晶體諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在宣傳冊、規(guī)格書中規(guī)定的范圍內(nèi)使用。
讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負(fù)性阻抗值。本公司推薦此負(fù)性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上，若是車載和安全設(shè)備，則推薦10倍以上。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振
＜晶體振蕩器＞
進(jìn)口晶體振蕩器的內(nèi)部電路使用C-MOS。閉鎖、靜電對策請和一般的C-MOS IC一樣考慮。有些石英晶體振蕩器沒有和旁路電容器進(jìn)行內(nèi)部連接。使用時，請在Vdd-GND之間用0.01μF左右的高頻特性較好的電容器（陶瓷片狀電容器等）以最短距離連接。關(guān)于個別機型請確認(rèn)宣傳冊、規(guī)格書。
＜晶體濾波器＞
注意電路板圖形的配置，避免輸入端子和輸出端子靠得太近。如果貼裝晶體濾光片的電路板的雜散電容較大，為了消除該雜散電容，有時需要配置調(diào)諧電路。
如果過大的激勵電力對諧振器外加電壓，有可能導(dǎo)致特性老化或損壞，因此請在濾波器的輸入電平在−10dBm以下的狀態(tài)下使用。
＜光學(xué)產(chǎn)品＞
由于制造過程中進(jìn)行了灰塵等異物管理，因此包裝開封以后，請在進(jìn)行清潔度管理的環(huán)境中使用。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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設(shè)計振蕩回路的注意事項
1.驅(qū)動能力
驅(qū)動能力說明9*14mm溫補振蕩器所需電功率，其計算公式如下：
驅(qū)動能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，
Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。Connor-Winfield晶振,溫補晶振,TFLD546晶振

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2.振蕩補償
除非在低電源電壓型晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設(shè)計時提供足夠的負(fù)極電阻。

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致TCXO有源貼片晶振振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。TFLD546-012.8M晶振,TFLD546晶振,低電壓溫補晶體振蕩器

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