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EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
頻率：2.375~60MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
精工愛普生株式會社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國蘇州愛普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因為智能手機,以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號,愛普生料號等.
愛普生貼片式石英晶振振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品2520晶振被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無鉛.
EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振,有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊盤（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
石英晶振真空退火技術(shù)：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG-211SCE晶振 |
|
驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
2.375~60MHZ |
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工作電壓 |
+2.7~3.63V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
|
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
|
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0029410013
SG-210SED
66.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410014
SG-210SED
74.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410016
SG-210SED
60.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0029410018
SG-210SED
72.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
X1G0036210006
SG-211SCE
12.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210007
SG-211SCE
54.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-15 ppm
≤ 6.0 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210009
SG-211SCE
25.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
X1G0036210010
SG-211SCE
8.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.80 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-20 ppm
≤ 3.5 mA
Included in Frequency tolerance First year
45 to 55 %
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在金屬面晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。 EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
晶振產(chǎn)品的設(shè)計和生產(chǎn)直到出廠,都會經(jīng)過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質(zhì)量高的可靠性的貼片石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負任何責任。
機械振動的影響:當OSC晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時，可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）.EPSON晶體,有源晶振,SG-211SCE晶振,X1G0036210006晶振
驅(qū)動能力:驅(qū)動能力說明小體積有源晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
此外，振蕩頻率與測量點不同。1。測量緩沖輸出2。振蕩級輸出測量三.通過四腳金屬面振蕩器電容器測量振蕩級輸出圖5示出以上1-3個測量點和所測量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址：http://m.908tw.com/
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
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- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
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- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
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- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
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- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
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- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
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