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EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振
頻率：80~170MHZ
尺寸：2.52*2.0mm
EPSON愛普生公司成立于1942年5月,總部位于日本長野縣諏訪市,是數(shù)碼映像領域的全球領先企業(yè).愛普生集團通過富有創(chuàng)新和創(chuàng)造力的文化,提升企業(yè)價值,致力于為客戶提供數(shù)碼影像創(chuàng)新技術和解決方案.愛普生拓優(yōu)科夢是一家專業(yè)從事晶體元件的廠商,愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）運用長年積累的培育人工貼片晶振以及以加工為代表的、實現(xiàn)精微化、高精度、高品質的綜合技術,提出“3D戰(zhàn)略”究極應用石英特性而制造的三大元器件:定時元器件、傳感元器件、光學元器件.
并創(chuàng)出將其復合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進至今.伴隨信息化社會的進程,現(xiàn)在石英晶體振蕩器元器件已被廣泛應用于各種電子設備以及家電產品之中,日趨重要. 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson — yocom）將進一步究極用精微加工發(fā)揮“石英”材料的優(yōu)越性能的“QMEMS”技術,創(chuàng)造出更小、更高性能或全新功能的元器件;同時,融合愛普生集團的半導體與軟件技術增添便于使用、能讓顧客更體驗到利用價值的“解決方案”.通過上述工作,我們將為社會的發(fā)展以及實現(xiàn)更舒暢的未來而竭誠奉獻.
EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振,有源晶振高頻振蕩器使用IC與晶片設計匹配技術：有源晶振是高頻振蕩器研發(fā)及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等其它的特殊性，必須考慮石英晶體振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數(shù)。
貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產品市場領域,因產品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用,晶振產品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG-210SEH晶振 |
|
驅動輸出 |
CMOS |
|
常用頻率 |
80~170MHZ |
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工作電壓 |
+1.8V （代表値） |
|
靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
|
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
|
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SEH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SEH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SEH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG-210SEH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0039410008
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410010
SG-210SDH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-20 to 70 °C
+/-50 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410013
SG-210SDH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 9.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039410014
SG-210SDH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-100 ppm
≤ 7.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039510001
SG-210SEH
125.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039510002
SG-210SEH
100.000000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 6.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039510003
SG-210SEH
133.333000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
X1G0039510004
SG-210SEH
156.250000 MHz
2.50 x 2.00 x 0.90 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 8.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的進口晶振.但是為了石英晶振的品質和可靠性,必須在適當?shù)臈l件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振
機械振動的影響:當貼片振蕩器產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現(xiàn)象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
晶振產品使用每種產品時,請在2520晶振規(guī)格說明或產品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
振蕩補償:除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻，否則會增加振蕩啟動時間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請在電路設計時提供足夠的負極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SEH晶振,X1G0039510001晶振
驅動能力:驅動能力說明金屬面晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2?Re其中i表示經過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.
振蕩電路的檢查方法:振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在小體積有源振蕩器電路上的諧振器的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過小體積2520貼片晶振輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
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JLX-PD
金洛鑫產品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
- 愛普生晶振
- NDK晶振
- 京瓷晶振
- 精工晶振
- 西鐵城晶振
- 大河晶振
- 村田晶振
- 泰藝晶振
- TXC晶振
- 鴻星晶振
- 希華晶振
- 加高晶振
- 百利通亞陶晶振
- 嘉碩晶振
- 津綻晶振
- 瑪居禮晶振
- 富士晶振
- SMI晶振
- Lihom晶振
- SHINSUNG晶振
- NAKA晶振
- AKER晶振
- NKG晶振
- NJR晶振
- Sunny晶振
貼片晶振
SMDcrystal
- CTS晶振
- 微晶晶振
- 瑞康晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- 高利奇晶振
- Jauch晶振
- AbraconCrystal晶振
- 維管晶振
- ECScrystal晶振
- 日蝕晶振
- 拉隆晶振
- 格林雷晶振
- SiTimeCrystal晶振
- IDTcrystal晶振
- PletronicsCrystal晶振
- StatekCrystal晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- Fox晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
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- ILSI晶振
- Mmdcomp晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ITTI晶振
- Oscilent晶振
- ACT晶振
- Rubyquartz晶振
- MTI-milliren晶振
- PDI晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Anderson晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
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- QVS晶振
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- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
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- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
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- 瑞薩renesas晶振
- Skyworks晶振
- Dynamic迪拉尼
