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EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振
頻率：1~75MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
愛普生株式會社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時是精工集團的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電SMD晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當時員工人數(shù)就達2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強企業(yè).
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優(yōu)科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優(yōu)科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事石英晶振系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉向馬來西亞量產(chǎn).蘇州愛普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振超小型石英貼片晶振晶片的設計：石英晶片的長寬尺寸已要求在±0.00２mm內(nèi)，由于貼片晶振晶片很小導致晶體的各類寄生波(如長度伸縮振動，面切變振動)與主振動(厚度切變振動)的耦合加強，從而造成如若石英晶振晶片的長度或?qū)挾瘸叽缭O計不正確、使得振動強烈耦合導致石英晶振的晶片不能正常工作，從而導致產(chǎn)品在客戶端不能正常使用，晶振的研發(fā)及生產(chǎn)超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題，公司在此方面通過理論與實踐相結合，模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序，該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。
智能手機愛普生晶體,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG5032CAN晶振 |
|
驅(qū)動輸出 |
CMOS |
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常用頻率 |
1~75MHZ |
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工作電壓 |
+1.6~+3.63V （代表値） |
|
靜態(tài)電流 |
（工作時）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
|
TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
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頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050EAN
320.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.60 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050EAN
125.003700 MHz
7.00 x 5.00 x 1.60 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050EAN
301.386000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.60 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG7050EAN
233.372000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.60 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 65.0 mA
+/-5ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
12.288000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
16.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 1.8 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
24.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
SG5032CAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.30 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 2.2 mA
+/-3ppm
45 to 55 %
|
Model | Frequency | LxWxH |
|
|
|
I [Max] | 25°C Aging | Aging2 | Symmetry | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042910127 | SG7050EAN | 320.000000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.60 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 65.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042910128 | SG7050EAN | 125.003700 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.60 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 65.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042910129 | SG7050EAN | 301.386000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.60 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 65.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0042910130 | SG7050EAN | 233.372000 MHz | 7.00 x 5.00 x 1.60 mm | LV-PECL | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 65.0 mA | +/-5ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044510001 | SG5032CAN | 12.288000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.8 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044510002 | SG5032CAN | 16.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 1.8 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044510003 | SG5032CAN | 24.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044510004 | SG5032CAN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.30 mm | CMOS | -40 to 85 °C | +/-50 ppm | ≤ 2.2 mA | +/-3ppm | 45 to 55 % |
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時,請在日產(chǎn)進口晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振
所有產(chǎn)品的共同點1：抗沖擊:抗沖擊是指5032晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。 3：化學制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4：粘合劑:請勿使用可能導致進口貼片晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過有源晶振的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）,EPSON晶體,有源晶振,SG5032CAN晶振,X1G0044510001晶振
驅(qū)動能力：驅(qū)動能力說明無人機晶振所需電功率，其計算公式如下：驅(qū)動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。
1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和異常運行。因此，在振蕩電路的設計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。導航系統(tǒng)設備晶振的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設計中，必須認識到個體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會啟動振蕩。電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機：13510569637
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QQ號：657116624
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搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
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JLX-PD
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