精工愛(ài)普生株式會(huì)社（總經(jīng)理:碓井 稔,以下簡(jiǎn)稱為“愛(ài)普生”）在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國(guó)區(qū)域深圳總代理簽訂合作協(xié)議,在同年期間蘇州愛(ài)普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移到中國(guó)蘇州愛(ài)普生工廠生產(chǎn),并且成立研發(fā)中心.因?yàn)橹悄苁謾C(jī),以及GPS衛(wèi)星導(dǎo)航的普及,有源晶振得到迅速的發(fā)展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產(chǎn)品型號(hào),愛(ài)普生料號(hào)等.

      愛(ài)普生貼片式貼片振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

      EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

     小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CBN	85.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
SG7050CCN	4.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	16.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
SG7050CCN	11.059200 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0044910026	SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-25 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910027	SG7050CBN	120.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910028	SG7050CBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0044910029	SG7050CBN	85.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-20 to 70 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm		45 to 55 %
X1G0045010001	SG7050CCN	4.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010003	SG7050CCN	16.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %
X1G0045010004	SG7050CCN	48.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.50 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 20.0 mA	+/-5ppm		40 to 60 %

     機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管OSC晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

      晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>貼片晶振規(guī)格說(shuō)明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。 

      晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來(lái)滿足它的規(guī)格要求。通過(guò)嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了7050晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。

       此外，振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過(guò)電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外，振蕩頻率較低。EPSON晶體,有源晶振,SG7050CCN晶振,X1G0045010001晶振

        振蕩補(bǔ)償:除非在MHZ系列振蕩器振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

      晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開(kāi)始代替。在高精度貼片有源晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。

     適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)7050振蕩器測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3pF的范圍內(nèi)-33pF左右，僅供參考。

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