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EPSON晶體,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振
頻率：100~175MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
愛普生晶振以音叉型石英晶體諧振器,（32.768KHZ）系列出名,目前愛普生品牌遍布全世界,而千赫茲的晶體應(yīng)用范圍也比較廣闊,所有的時(shí)記產(chǎn)品都需要用上KHZ系列石英晶體,該系列產(chǎn)品具有小型,薄型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領(lǐng)域.是對應(yīng)陶瓷晶振（偏差大）和通常的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領(lǐng)域的一種性價(jià)比出色的產(chǎn)品.最適用于HDD, SSD, USB數(shù)碼產(chǎn)品,播放器、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)電話等.等用途.
愛普生株式會(huì)社愛普生拓優(yōu)科夢,（EPSON — YOCOM）1942年成立時(shí)是精工集團(tuán)的第三家手表制造公司,以石英手表起家的愛普生公司到后續(xù)的生產(chǎn)壓電SMD晶體,1996年2月在中國蘇州投資建廠,在當(dāng)時(shí)員工人數(shù)就達(dá)2000人,總投資4.055億美元,公司占地200畝,現(xiàn)已經(jīng)是世界500強(qiáng)企業(yè).
EPSON晶體,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振,石英晶振的切割設(shè)計(jì)：用不同角度對晶振的石英晶棒進(jìn)行切割，可獲得不同特性的石英晶片，通常我們把晶振的石英晶片對晶棒坐標(biāo)軸某種方位（角度）的切割稱為石英晶片的切型。不同切型的石英晶片，因其彈性性質(zhì)，壓電性質(zhì)，溫度性質(zhì)不同，其電特性也各異，石英晶振目前主要使用的有 AT 切、BT 切。其它切型還有 CT、DT、GT、NT 等。
小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
|
愛普生晶振規(guī)格 |
SG7050EBN晶振 |
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驅(qū)動(dòng)輸出 |
LV-PECL |
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常用頻率 |
100~175MHZ |
|
工作電壓 |
+2.5V~+3.3V （代表値） |
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靜態(tài)電流 |
（工作時(shí)）+1.2 mA max. (F≦15MHz) +1.4 mA max. (15＜F≦26MHｚ） |
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TCXO輸出電壓 |
0.8Vp-p min. |
|
TCXO輸出負(fù)載 |
（10kΩ//10pF) ±10％ |
|
常規(guī)溫度偏差 |
±20/30/50×10-6 (After 2 reflows) |
|
頻率溫度偏差 |
±30×10-6/-40℃～+85℃ |
|
±50×10-6/-55℃～+125℃（オプション） |
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號列表：
愛普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振編碼列表：
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
SG7050CCN
8.192000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
9.830400 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
7.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050CCN
6.144000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
SG7050EBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
Product Number
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
Ope Temperature
Freq. Tol.
I [Max]
25°C Aging
Aging2
Symmetry
X1G0045010060
SG7050CCN
8.192000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010061
SG7050CCN
9.830400 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010079
SG7050CCN
7.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045010083
SG7050CCN
6.144000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.50 mm
CMOS
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 20.0 mA
+/-5ppm
40 to 60 %
X1G0045110001
SG7050EBN
156.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110002
SG7050EBN
125.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110003
SG7050EBN
100.000000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
X1G0045110004
SG7050EBN
106.250000 MHz
7.00 x 5.00 x 1.70 mm
LV-PECL
-40 to 85 °C
+/-50 ppm
≤ 75.0 mA
Included in Frequency tolerance 10 years
45 to 55 %
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)1：抗沖擊:抗沖擊是指7050晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2：輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。 EPSON晶體,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振
4：粘合劑:請勿使用可能導(dǎo)致進(jìn)口晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。） 5：鹵化合物:請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6：靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請?jiān)?b>日產(chǎn)晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。
驅(qū)動(dòng)能力：驅(qū)動(dòng)能力說明石英晶體振蕩器所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。EPSON晶體,有源晶振,SG7050EBN晶振,X1G0045110001晶振
1、振蕩電路：晶體諧振器是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。7050無線應(yīng)用程序晶體的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。2。角色的分量與參考值：在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，LVDS晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
測試條件：(1) 電源電壓超過150µs，直到電壓級別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他輸入電容低于 15 pF.5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測量7050貼片晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過有源晶振的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測量。(3) 其他：CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請勿使用該探頭的長接地線）,
公司名：深圳市金洛鑫電子有限公司
聯(lián)系人：茹紅青
手機(jī)：13510569637
電話：0755-27837162
QQ號：657116624
微信公眾號：CITIZENCRYSTAL
搜狐公眾號：晶振石英晶振NDK晶振
郵箱：jinluodz@163.com
地址：深圳市寶安區(qū)41區(qū)甲岸路19號
網(wǎng)址：http://m.908tw.com/
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JLX-PD
金洛鑫產(chǎn)品系列
PRODUCT LINE
石英晶振
QuartzCrystal
- KDS晶振
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SMDcrystal
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