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SMI晶振,124SMX晶振,32.768K晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：7.0*1.5mm

貼片石英晶振適合用于車載電子領域的小型表面貼片石英晶體諧振器.也可對應有高的可靠性要求的引擎控制用CPU的時鐘部分簡稱為時鐘晶體振蕩器,在極端嚴酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：0755-27837162

SMI晶振,124SMX晶振,32.768K晶振，貼片表晶32.768K晶振系列具有超小型,薄型,質地輕的表面貼片音叉型石英晶體諧振器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領域,移動通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.
SMI是Crystal Technology的新興領導者。我們積極為電子社會做出貢獻，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎上，快速開發(fā)先進的水晶產(chǎn)品。
我們專注于最新的SMD晶體，時鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質量和高穩(wěn)定性的石英晶振產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴格的質量控制和嚴格的運輸檢查。

SMI晶振,124SMX晶振,32.768K晶振,SMI晶振是日本一家生產(chǎn)制造規(guī)模比較大一家電子元件工廠,長期采購SMI石英晶體的企業(yè)有上千家,日本SMI晶振在國際市場上的份額占有率真不算高,SMI晶振公司自成立以來便專注研發(fā)生產(chǎn)高品質,高精度的晶振產(chǎn)品,專業(yè)向市場供應大量OSC差分晶振,TCXO溫補晶振,VCXO壓控晶振等元件,憑借著注重質量與服務,贏得廣大用戶的喜愛,SMI晶振如今在業(yè)界已是小有名氣的企業(yè).
貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Item	Symbol	Specifications
Part number	P/N	124M327*1
Package Type		124SMX*2
Nominal frequency	F	32.768 kHz
Frequency tolerance (at +25゜C)	△f/F	AAA : ±5 ppm AA : ±10 ppm A : ±15 ppm B : ±20 ppm C : ±30 ppm (Standard)
Load capacitance	CL	12.5 pF: 124M327 (Standard) 9.0 pF : 124M327-9 7.0 pF : 124M327-7(Standard) 6.0 pF : 124M327-6 4.4 pF : 124M327-4.4 3.7 pF : 124M327-3
Equivalent series resistance	ESR	65k Ω max. / To : -40゜C to +85゜C (Standard) 50k Ω max. / To : -40゜C to +85゜C (R = Option)
Drive level	P	0.1 μW (0.5 μW max.)
Turnover temperature	Tt	+25゜C ±5゜C
Temperature coefficient	β	-0.035 ppm / ゜C 2 , Typical
Quality factor	Q	40000 min.
Shunt capacitance	C0	0.8 pF, Typical
Motional capacitance	C1	0.0019 pF, Typical
Capacitance ratio	γ	420, Typical
Aging (for first year)	△f/F	±3 ppm max. at +25゜C ±3゜C
Insulation resistance	Ri	500 MΩ min. at 100V DC ±15V
Cut		XY-Cut
Operating temperature range	To	-40゜C to +85゜C
Storage temperature range	Ts	-55゜C to +125゜C
Shock resistance	△f/F	±5 ppm max.
Vibration resistance	△f/F	±5 ppm max.
IR reflow resistance	△f/F	±10 ppm max.
Reflow condition		10 seconds max. at +250゜C ±10゜C

124SMX 尺寸

抗沖擊
  貼片石英晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導致石英晶體性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解日本進口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。SMI晶振,124SMX晶振,32.768K晶振
靜電
過高的靜電可能會損壞石英諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

驅動能力:驅動能力說明單元所需電功率，其計算公式如下：驅動能力 (P) = i2_Re其中i表示經(jīng)過石英晶體振蕩器單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）2。

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測試條件:(1) 電源電壓;超過 150µs，直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2) 其他: 輸入電容低于 15 pF,5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量頻率時，探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過的放大器時，可同時進行測量。(3) 其他: CL包含探頭電容。應使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線.)

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振蕩頻率測量:必須盡可能地測量安裝在電路上的振蕩頻率的真實值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測量中，通常使用探頭和頻率計數(shù)器。然而,我們的目標是通過限制測量工具對振蕩電路本身的影響來測量。有三種頻率測量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測量方法是通過使用任何能夠精確測量的頻譜分析儀來實現(xiàn)的。
接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因為緩沖器的輸出是通過輸入振蕩電路的輸出來測量的。逆變器進入下一階段。探針不影響圖3，因為在IC上測量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測量來最小化探針的效果。輸出點之間的電容（3pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應該注意到，使用這種方法輸出波形較小，晶體測量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測量。

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