国产一区二区三区高清不卡视频,日韩精品在线播放第1页

當前位置：首頁 » 貼片晶振 » ACT晶振 » TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振

prevnext

TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振

頻率：9.6~50

尺寸：3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，壓控溫補晶體振蕩器，TCXO溫補晶體振蕩器和OCXO設(shè)立了新標準，創(chuàng)造了當今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Parameters

Specification

Remarks

Frequency range

F_nom

9.6MHz ~ 50.0MHz

Supply voltage

Vcc

3 .0V, 3.3V

Vcc±5%

Frequency stability (overall, 20 years)

±4.6ppm

Including initial tolerance, freq. stability over
temperature, load change, Vcc change, 20
year aging and reflow soldering.

Initial frequency tolerance

F_tol

±1.0ppm

At +25°C±2°C, within 30 days after ex‐works

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±0.28ppm, ±0.5ppm

Over ‐40°C ~ +85°C, fref=(fmax+fmin)/2

vs Load

F_load

±0.1ppm max

±5% load condition change

vs Voltage

F_Vcc

±0.1ppm max

±5% input voltage change

vs Day Aging

F_age

±0.02ppm/year max

At +25°C and after 1h of operation

vs Year aging

±1.0ppm/year max

Operating temperature range (°C)

Topr

‐20°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +105°C

Output wave form

Clipped sine wave(CSW)

Output load

10K?//10pF

Output voltage level (CSW)

0.8V p‐p (min)

Current consumption

Icc

5.0mA max

VC‐TCXO option only

Control Voltage

1.5V ± 1.0V

Frequency tuning (ppm)

±10.0ppm ~ ±15.0ppm

For custom specification please enquire

Linearity/Slope polarity

±10.0% max/Positive slope

Positive vo ltage for positive frequency shift

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振.
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進口有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。