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探索泰藝晶振TP系列超緊湊高精度的時(shí)頻革新者
探索泰藝晶振TP系列超緊湊高精度的時(shí)頻革新者
TP系列芯片在參數(shù)表現(xiàn)上十分出色.其頻率范圍覆蓋,能滿足多種不同設(shè)備對(duì)時(shí)鐘信號(hào)頻率的需求,從基礎(chǔ)的消費(fèi)電子設(shè)備到高端的工業(yè)儀器,都能找到適配的頻率選項(xiàng),這意味著在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行過(guò)程中,頻率的漂移極小,為設(shè)備提供了高度穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)基準(zhǔn),確保設(shè)備性能的一致性與可靠性.相位噪聲方面,相位噪聲低,低相位噪聲有效減少了信號(hào)的抖動(dòng),使得數(shù)據(jù)傳輸更加精準(zhǔn),在對(duì)信號(hào)質(zhì)量要求嚴(yán)苛的通信領(lǐng)域,能極大提升信號(hào)的抗干擾能力與傳輸距離.TP系列采用了先進(jìn)的超緊湊型設(shè)計(jì),,相較于市場(chǎng)上同類型號(hào)的產(chǎn)品,體積縮小了.以某品牌傳統(tǒng)TCXO芯片為例,在小型化設(shè)計(jì)上,TP系列具有明顯優(yōu)勢(shì).這種超緊湊的尺寸,使得它在空間有限的設(shè)備中能夠輕松布局,例如可穿戴設(shè)備晶振,其內(nèi)部空間極為珍貴,TP系列芯片能在不占用過(guò)多空間的情況下,為設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),助力可穿戴設(shè)備實(shí)現(xiàn)更輕薄,功能更強(qiáng)大的設(shè)計(jì)目標(biāo).
高精度是TP系列的一大核心優(yōu)勢(shì).它通過(guò)采用特殊切割工藝的高品質(zhì)石英晶體,結(jié)合先進(jìn)的溫補(bǔ)算法與電路設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了高精度的頻率輸出.在不同環(huán)境下,其精度表現(xiàn)十分卓越.在溫度范圍為-40°C至+85°C時(shí),頻率偏差依然能控制在極小的范圍內(nèi),僅為[具體偏差數(shù)值]ppm,這一特性使得它在極端環(huán)境下的設(shè)備中也能穩(wěn)定工作,如戶外通信基站,無(wú)論嚴(yán)寒酷暑,TP系列芯片都能確?；緯r(shí)鐘信號(hào)的精準(zhǔn),保障通信的順暢.在濕度為10%-90%RH的環(huán)境中,TP系列芯片同樣能保持高精度,頻率穩(wěn)定性幾乎不受影響,對(duì)于一些對(duì)濕度敏感的電子設(shè)備,如醫(yī)療設(shè)備中的某些檢測(cè)儀器,TP系列芯片能為其提供穩(wěn)定可靠的時(shí)鐘信號(hào),保證檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性.低重力敏感度是TP系列芯片的又一創(chuàng)新特性.其原理在于通過(guò)優(yōu)化晶體的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與支撐方式,減少重力對(duì)晶體振蕩的影響.在航空航天領(lǐng)域,飛行器在飛行過(guò)程中會(huì)經(jīng)歷各種復(fù)雜的重力環(huán)境變化,傳統(tǒng)晶振可能會(huì)因重力變化導(dǎo)致頻率偏移,影響設(shè)備的正常運(yùn)行.而TP系列芯片的低重力敏感度特性,使其在重力加速度變化范圍為[具體重力加速度變化范圍數(shù)值]g的情況下,頻率變化可忽略不計(jì),確保了航空電子設(shè)備,如衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng),飛行控制系統(tǒng)等,在不同重力環(huán)境下都能穩(wěn)定工作,為飛行器的安全飛行與精準(zhǔn)導(dǎo)航提供了有力保障.在高端工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,一些高速旋轉(zhuǎn)或移動(dòng)的部件會(huì)產(chǎn)生一定的重力變化,TP系列芯片也能在這種環(huán)境下保持穩(wěn)定的頻率輸出,保證設(shè)備的運(yùn)動(dòng)控制精度,提高生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量.
應(yīng)用領(lǐng)域廣泛:多場(chǎng)景適配
TP系列芯片憑借其出色的參數(shù)與特性,在眾多領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的應(yīng)用潛力.在5G通信領(lǐng)域,5G基站對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的穩(wěn)定性和精度要求極高.5G網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用晶振的高速率,低延遲特性,需要基站的射頻模塊具備精準(zhǔn)的頻率控制.TP系列芯片的高精度和低相位噪聲特性,使其成為5G基站時(shí)鐘源的理想選擇.它能夠?yàn)榛镜男盘?hào)生成與處理提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確?；驹趶?fù)雜的電磁環(huán)境下,依然能實(shí)現(xiàn)高效的數(shù)據(jù)傳輸與信號(hào)覆蓋.在密集的城市環(huán)境中,5G基站需要同時(shí)處理大量用戶的通信請(qǐng)求,TP系列芯片穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)可有效減少信號(hào)干擾與丟包現(xiàn)象,保障用戶流暢的通信體驗(yàn),無(wú)論是高清視頻通話還是高速數(shù)據(jù)下載,都能穩(wěn)定運(yùn)行.物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備種類繁多,且大多需要電池供電以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期運(yùn)行,對(duì)晶振的體積,功耗和穩(wěn)定性都有嚴(yán)格要求.TP系列芯片的超緊湊型設(shè)計(jì),使其能夠輕松集成到各類小型物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,如智能手環(huán),智能門(mén)鎖等.其高精度確保了設(shè)備傳感器數(shù)據(jù)采集的準(zhǔn)確性,低重力敏感度則保證了設(shè)備在不同使用場(chǎng)景下的穩(wěn)定性.在智能家居系統(tǒng)中,各種智能設(shè)備需要通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)進(jìn)行互聯(lián)互通,TP系列芯片為這些設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),實(shí)現(xiàn)設(shè)備之間的精準(zhǔn)時(shí)間同步與數(shù)據(jù)交互,用戶可以通過(guò)手機(jī)APP遠(yuǎn)程控制家中的智能設(shè)備,而TP系列芯片保障了這些控制指令能夠準(zhǔn)確,及時(shí)地傳達(dá)給設(shè)備.
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中,對(duì)運(yùn)動(dòng)控制精度和系統(tǒng)穩(wěn)定性要求極高.TP系列芯片的高精度和低重力敏感度,使其在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域大顯身手.在數(shù)控機(jī)床中,TP系列芯片為機(jī)床的控制系統(tǒng)提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保機(jī)床的刀具能夠按照預(yù)設(shè)的路徑精確移動(dòng),加工出高精度的零部件.在自動(dòng)化生產(chǎn)線中,各種傳感器和執(zhí)行器需要精確的時(shí)間同步來(lái)協(xié)同工作,TP系列芯片能夠滿足這一需求,提高生產(chǎn)線的運(yùn)行效率與產(chǎn)品質(zhì)量,減少次品率,為企業(yè)降低生產(chǎn)成本.汽車(chē)電子系統(tǒng)涵蓋了眾多關(guān)鍵部件,如發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng),車(chē)載導(dǎo)航系統(tǒng),自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)等,這些系統(tǒng)對(duì)可靠性和穩(wěn)定性要求近乎苛刻.TP系列芯片在汽車(chē)電子領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景.在自動(dòng)駕駛輔助系統(tǒng)中,車(chē)輛需要通過(guò)各種傳感器實(shí)時(shí)感知周?chē)h(huán)境,并快速做出決策.TP系列芯片的高精度和低相位噪聲特性,能夠?yàn)閭鞲衅骱?a title="微處理器晶振" href="http://m.908tw.com/TranskodCrystal/TX3L25JP0510000MTR.html" target="_blank">微處理器晶振提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確,快速地處理大量數(shù)據(jù),及時(shí)識(shí)別道路狀況,車(chē)輛和行人等信息,保障自動(dòng)駕駛的安全性.即使車(chē)輛在行駛過(guò)程中經(jīng)歷顛簸,震動(dòng)等復(fù)雜的重力環(huán)境變化,TP系列芯片的低重力敏感度也能保證其穩(wěn)定工作,為汽車(chē)電子系統(tǒng)的可靠運(yùn)行提供堅(jiān)實(shí)保障.
市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力:優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)并存
在競(jìng)爭(zhēng)激烈的晶振市場(chǎng)中,TP系列芯片憑借其獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和卓越的性能,迅速占據(jù)了一席之地.從技術(shù)層面來(lái)看,其超緊湊型設(shè)計(jì)技術(shù),高精度的溫補(bǔ)算法與電路設(shè)計(jì)技術(shù)以及低重力敏感度的結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù),在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平.與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品相比,TP系列芯片在相同尺寸下,能實(shí)現(xiàn)更高的精度和更低的相位噪聲.以市場(chǎng)上另一知名品牌的同類型TCXO芯片為例,TP系列芯片在精度和相位噪聲方面都有著明顯的優(yōu)勢(shì),能為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的時(shí)鐘信號(hào)解決方案.在成本效益方面,泰藝晶振通過(guò)優(yōu)化生產(chǎn)流程,提高生產(chǎn)效率,有效降低了生產(chǎn)成本.雖然TP系列芯片在技術(shù)和性能上具有優(yōu)勢(shì),但市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)依然激烈.其他晶振廠商也在不斷推出新產(chǎn)品,試圖在市場(chǎng)中分得一杯羹.一些老牌晶振企業(yè),憑借其深厚的技術(shù)積累和廣泛的市場(chǎng)渠道,對(duì)TP系列芯片構(gòu)成了一定的競(jìng)爭(zhēng)壓力.同時(shí),技術(shù)更新?lián)Q代的速度也在不斷加快,新的晶振技術(shù)和材料可能隨時(shí)出現(xiàn),這對(duì)TP系列芯片的市場(chǎng)地位也是一種潛在威脅.面對(duì)這些挑戰(zhàn),泰藝晶振采取了一系列積極的應(yīng)對(duì)策略.在技術(shù)研發(fā)方面,加大研發(fā)投入,組建專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),密切關(guān)注行業(yè)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài),不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新與升級(jí),確保TP系列芯片始終保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì).在市場(chǎng)拓展方面,積極與客戶溝通合作,了解客戶需求,提供個(gè)性化的解決方案,提高客戶滿意度與忠誠(chéng)度.同時(shí),加強(qiáng)品牌建設(shè)與市場(chǎng)推廣,提升泰藝晶振的品牌知名度和美譽(yù)度,拓寬市場(chǎng)渠道,擴(kuò)大市場(chǎng)份額.
行業(yè)影響:推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步
TP系列芯片的推出,在晶振行業(yè)掀起了波瀾,對(duì)整個(gè)行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響.從行業(yè)技術(shù)發(fā)展方向來(lái)看,TP系列芯片為晶振技術(shù)的發(fā)展樹(shù)立了新的標(biāo)桿.其超緊湊型設(shè)計(jì),高精度和低重力敏感度等特性,引領(lǐng)了晶振行業(yè)朝著小型化,高精度,高穩(wěn)定性的方向發(fā)展.其他晶振廠商紛紛加大在這些技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)投入,試圖跟上技術(shù)發(fā)展的步伐,這種競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)促使整個(gè)晶振行業(yè)的技術(shù)水平不斷提升.在產(chǎn)業(yè)升級(jí)方面,TP系列芯片的出現(xiàn)加速了晶振產(chǎn)業(yè)的升級(jí)換代.它推動(dòng)了晶振生產(chǎn)工藝的改進(jìn),促使企業(yè)采用更先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備和工藝,提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量.同時(shí),也帶動(dòng)了上下游產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展,上游的石英晶體材料供應(yīng)商需要提供更高質(zhì)量的原材料,以滿足TP系列芯片對(duì)材料性能的要求;下游的電子設(shè)備制造商則能夠利用TP系列芯片開(kāi)發(fā)出更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品,推動(dòng)整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)的升級(jí).在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域,TP系列芯片同樣發(fā)揮著重要的推動(dòng)作用.在5G工業(yè)通信應(yīng)用晶振領(lǐng)域,其高精度和低相位噪聲特性,為5G通信設(shè)備提供了穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),有助于加速5G通信的普及.5G網(wǎng)絡(luò)的大規(guī)模建設(shè)和應(yīng)用,離不開(kāi)穩(wěn)定可靠的時(shí)鐘源支持,TP系列芯片能夠滿足5G基站對(duì)時(shí)鐘信號(hào)的嚴(yán)苛要求,保障5G網(wǎng)絡(luò)的高效運(yùn)行,推動(dòng)5G技術(shù)在更多領(lǐng)域的應(yīng)用拓展,如智能交通,工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等.在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域,TP系列芯片的高精度和低重力敏感度,提升了工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的運(yùn)動(dòng)控制精度和系統(tǒng)穩(wěn)定性,促進(jìn)了工業(yè)自動(dòng)化水平的提升.它使得工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備能夠更加精準(zhǔn)地執(zhí)行各種任務(wù),提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量,推動(dòng)工業(yè)生產(chǎn)向智能化,自動(dòng)化方向邁進(jìn),助力制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí).
未來(lái)展望:持續(xù)創(chuàng)新
展望未來(lái),TP系列芯片有著廣闊的發(fā)展空間.在技術(shù)改進(jìn)方面,泰藝晶振有望進(jìn)一步優(yōu)化芯片的性能參數(shù).例如,通過(guò)研發(fā)新的溫補(bǔ)算法和材料,將頻率穩(wěn)定度提升至更高水平,進(jìn)一步降低頻率漂移,為對(duì)時(shí)鐘信號(hào)穩(wěn)定性要求極高的量子計(jì)算,高精度科學(xué)研究等前沿領(lǐng)域提供更精準(zhǔn)的時(shí)鐘信號(hào)支持.在尺寸上,繼續(xù)朝著更小的方向發(fā)展,目標(biāo)是將芯片尺寸縮小,以滿足未來(lái)電子設(shè)備高度集成化,微型化的發(fā)展趨勢(shì),如在納米級(jí)電子設(shè)備,可植入式醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域,更小尺寸的TP系列芯片將具有巨大的應(yīng)用潛力.在應(yīng)用拓展方面,隨著人工智能,虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)等新興技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)晶振的性能和尺寸要求也越來(lái)越高.TP系列芯片憑借其現(xiàn)有優(yōu)勢(shì),有望在這些領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用.在人工智能領(lǐng)域,數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器需要大量穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)來(lái)保證數(shù)據(jù)處理的準(zhǔn)確性和高效性,TP系列芯片能夠?yàn)榉?wù)器的處理器和內(nèi)存等關(guān)鍵部件提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),加速人工智能算法的運(yùn)行和數(shù)據(jù)處理速度.在VR/AR設(shè)備中,TP系列芯片的高精度和低重力敏感度,能夠確保設(shè)備在用戶頭部快速運(yùn)動(dòng)時(shí),依然能實(shí)時(shí)準(zhǔn)確地追蹤用戶的動(dòng)作,提供流暢,無(wú)延遲的沉浸式體驗(yàn),避免因時(shí)鐘信號(hào)不穩(wěn)定導(dǎo)致的畫(huà)面卡頓和延遲,提升用戶的使用感受.泰藝晶振作為行業(yè)的創(chuàng)新者,將繼續(xù)秉持創(chuàng)新精神,不斷探索新技術(shù),新應(yīng)用.我們鼓勵(lì)廣大讀者持續(xù)關(guān)注泰藝晶振的動(dòng)態(tài),期待其推出更多像TP系列芯片這樣具有創(chuàng)新性和突破性的產(chǎn)品.相信在泰藝晶振的努力下,晶振技術(shù)將不斷邁向新的高度,為電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入源源不斷的動(dòng)力,推動(dòng)各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)革新與進(jìn)步,為我們的生活帶來(lái)更多的便利和驚喜.
探索泰藝晶振TP系列超緊湊高精度的時(shí)頻革新者
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NI-10M-3510 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.2ppb |
|
NI-10M-3560 |
Taitien |
NI-10M-3500 |
OCXO |
10 MHz |
CMOS |
5V |
±0.1ppb |
|
OXETECJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGCJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETHEJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±100ppm |
|
OXETGCJANF-36.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
36 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-40.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
40 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OX |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-16.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
16 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-19.200000 |
Taitien |
OX |
XO |
19.2 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXKTGLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-50.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGCJANF-54.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
54 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OXKTGLKANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJTNF-66.000000MHZ |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETECJANF-27.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
27 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±30ppm |
|
OXETGJJANF-7.680000 |
Taitien |
OX |
XO |
7.68 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OYETCCJANF-12.288000 |
Taitien |
OY |
XO |
12.288 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETGLJANF-38.880000 |
Taitien |
OX |
XO |
38.88 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETDCKANF-12.800000 |
Taitien |
OC |
XO |
12.8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETECJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
|
OCETCCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETCCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±20ppm |
|
OCETDCKTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDLJANF-2.048000 |
Taitien |
OC |
XO |
2.048 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
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OCETELJANF-8.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
8 MHz |
CMOS |
3.3V |
±30ppm |
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OCETGCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-24.576000 |
Taitien |
OC |
XO |
24.576 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJANF-4.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
4 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLKANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETHCJTNF-100.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
100 MHz |
CMOS |
1.8V |
±100ppm |
|
OCKTGLJANF-20.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
20 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-30.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
30 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCKTGLJANF-31.250000 |
Taitien |
OC |
XO |
31.25 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OCETDCJANF-12.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
12 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETDCJTNF-50.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
50 MHz |
CMOS |
3.3V |
±25ppm |
|
OCETGCJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.667000 |
Taitien |
OC |
XO |
66.667 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-27.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
27 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJANF-33.333000 |
Taitien |
OC |
XO |
33.333 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-66.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
66 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCETGLJTNF-80.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
80 MHz |
CMOS |
3.3V |
±50ppm |
|
OCJTDCJANF-25.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
|
OCKTGLJANF-24.000000 |
Taitien |
OC |
XO |
24 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETGLJANF-12.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
12 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXETDLJANF-8.704000 |
Taitien |
OX |
XO |
8.704 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXKTGCJANF-37.125000 |
Taitien |
OX |
XO |
37.125 MHz |
CMOS |
1.8V |
±50ppm |
|
OXETCLJANF-26.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
26 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±20ppm |
|
OXETDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±25ppm |
|
OXETGLJANF-48.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
48 MHz |
CMOS |
2.8V ~ 3.3V |
±50ppm |
|
OXJTDLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±25ppm |
|
OXJTGLJANF-25.000000 |
Taitien |
OX |
XO |
25 MHz |
CMOS |
2.5V |
±50ppm |
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