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Abracon-1

奧斯汀,得克薩斯州,Abracon LLC(Abracon),全球領(lǐng)先的制造商被動(dòng)&機(jī)電時(shí)間同步,權(quán)力,連通性和射頻解決方案宣布音頻和視頻解決方案指南強(qiáng)調(diào)產(chǎn)品適合使用者應(yīng)用程序如機(jī)頂盒,虛擬現(xiàn)實(shí),便攜式音頻、視頻/電話會(huì)議,耐磨,物聯(lián)網(wǎng),無人機(jī),相機(jī)/攝像機(jī)、顯示器和高保真音頻以及專業(yè)應(yīng)用,如音頻混合器,唱片的質(zhì)量接收器,廣播工作室相機(jī)等設(shè)備,路由器和轉(zhuǎn)換器使用SDI,HD-SDI和3 g HD-SDI。
Abracon工程副總裁Syed Raza評(píng)論說：“半導(dǎo)體技術(shù)致力于將所有的功耗從最新一代的MCU和RF芯片組中扭轉(zhuǎn)出來，芯片上的皮爾斯振蕩器缺乏必要的增益，對(duì)gm_critical指標(biāo)產(chǎn)生不利影響。 PAS測(cè)試是診斷可預(yù)防問題的最可靠的方法。“

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Abracon-2

ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振,來自美國晶體品牌的一顆2*6mm音叉型插件圓柱晶振,在市場上非?；钴S,是應(yīng)用范圍廣泛的一種32.768KHz晶振,除此之外,AB26T晶振的頻率范圍可從32KHz~100KHz之間可任意選擇一個(gè)頻率,適應(yīng)性好,2*6mm的插件晶體元器件因?yàn)閮r(jià)格普通較低,因此仍有非常多的生產(chǎn)廠家在使用.
對(duì)于圓片晶振,X、Z 軸較難區(qū)分,所以石英晶振對(duì)精度要求高的產(chǎn)品(如部分定單的 UM-1),會(huì)在 X 軸方向進(jìn)行拉弦(切掉一小部分),以利于晶振的晶片有方向的裝架點(diǎn)膠,點(diǎn)膠點(diǎn)點(diǎn)在 Z 軸上.保證晶振產(chǎn)品的溫度特性.

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ABRACON晶振	單位	AB26T晶振	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C～+60°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10-6(標(biāo)準(zhǔn))	+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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RB-3

AB26T 6.2-2.1

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操作
請(qǐng)勿用鑷子或任何堅(jiān)硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請(qǐng)?jiān)谝?guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個(gè)溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會(huì)由于凝露引起故障。請(qǐng)避免凝露的產(chǎn)生。
激勵(lì)功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動(dòng)力，會(huì)導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞。電路設(shè)計(jì)必須能夠維持適當(dāng)?shù)募?lì)功率（請(qǐng)參閱“激勵(lì)功率”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻，否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì)增加（請(qǐng)參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容）。
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過強(qiáng)力調(diào)整，可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩。在使用之前，請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）。

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輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

scbx_1

2.測(cè)試條件
(1)電源電壓
超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)其他
輸入電容低于 15 pF
5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
鉛探頭應(yīng)盡可能短。
測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)其他
CL包含探頭電容。
應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線。）ABRACON晶振,圓柱晶振,AB26T晶振