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Ral-1

Raltron公司正在其邁阿密，佛羅里達州開發(fā)和制造精密振蕩器。設(shè)施，而簡單的水晶諧振器，時鐘振蕩器和濾波器以及天線。公司對研發(fā)的承諾使得不斷創(chuàng)造領(lǐng)先邊緣晶體和振蕩器器件和技術(shù)多年。今天，拉爾特龍?zhí)峁└咝阅茴l率控制解決方案滿足和超越客戶的期望價格，質(zhì)量，應(yīng)用工程和客戶支持。所有Raltron員工致力于追求品質(zhì)和卓越。這個哲學(xué)通過多年不間斷的增長，使得Raltron處于領(lǐng)先地位。
Raltron積極追求領(lǐng)先的晶體和振蕩器技術(shù)，專注于會議客戶的需求。這確保客戶獲得最具成本效益的頻率管理產(chǎn)品在當今全球市場上可用。Raltron產(chǎn)品具有精確的頻率容穩(wěn)定性好，頻率范圍寬，封裝更小，相位噪聲低，抖動小等優(yōu)點，最重要的是，他們以非常有競爭力的成本滿足或超越客戶的規(guī)格。

JLX-1

Ral-2

Raltron晶振,石英晶振,R26晶振.32.768K時鐘晶體具有小型,薄型,輕型的DIP型音叉型晶體諧振器,產(chǎn)品具有優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,可發(fā)揮晶振優(yōu)良的電氣特性,符合RoHS規(guī)定,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,金屬外殼的封裝使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷諧振器外殼更好的耐沖擊性.
Raltron石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。

JLX-2

RB-2

Raltron晶振	單位	R26晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C~+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C~+60°C/-40°C~+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:1.0μW
頻率公差	f_— l	±5× 10-6(標準), (±5× 10-6~±20 × 10-6可用)	+25°C對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com/
頻率溫度特征	f_tem	±20× 10-6/-20°C~+60°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	6pF~12.5pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C~+85°C,DL = 1.0μW
頻率老化	f_age	±3×10-6/year Max.	+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

R26 2-6

JLX-4

RB-4

超聲波清洗
（1）使用AT-切割晶體和表面聲波（SAW）諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品，可以通過超聲波進行清洗。但是，在某些條件下，晶體特性可能會受到影響，而且內(nèi)部線路可能受到損壞。確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性。
（2）使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗，因為晶體可能受到破壞。
（3）請勿清洗開啟式產(chǎn)品
（4）對于可清洗產(chǎn)品，應(yīng)避免使用可能對石英水晶諧振器產(chǎn)生負面影響的清洗劑或溶劑等。
（5）焊料助焊劑的殘留會吸收水分并凝固。這會引起諸如位移等其它現(xiàn)象。這將會負面影響晶振的可靠性和質(zhì)量。請清理殘余的助焊劑并烘干PCB。
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。
使用環(huán)境（溫度和濕度）
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用耐高溫晶振。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。

JLX-5

RB-5

1、振蕩電路
是無源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運行和
異常運行。因此，在振蕩電路的設(shè)計中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動安全穩(wěn)定。只有在做出了這個決定之后，后續(xù)的項目，例如
討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計中，必須認識到個體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來描述角色。
（圖1）使用一個通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時，如圖所示
表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會啟動振蕩。
電路。除非有適當值的電阻器連接，否則振蕩不會啟動。

cptj1

晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在
泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個范圍內(nèi)。
K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個電阻10米或更?。

cptj11

限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負電阻和勵磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有
給定負載能力。
適當?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于的類型，頻帶和設(shè)備的價值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的（包括
負電阻和驅(qū)動級）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個范圍內(nèi)。
?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K。
安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和
振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。