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首頁(yè) 百利通亞陶晶振

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分,小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).

產(chǎn)品詳情

BLT-2

百利通亞陶晶振公司生產(chǎn)設(shè)施已達(dá)到 QS-9000、ISO-9001:2008、TS16949:2002 及 ISO 14001 認(rèn)證的品質(zhì)獎(jiǎng)。Diodes 公司目前擁有 C-TPAT 認(rèn)證。上述質(zhì)量獎(jiǎng)反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術(shù),并進(jìn)一步提升我們?cè)谥匾曎|(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳廠商的地位。另外在多個(gè)據(jù)點(diǎn)設(shè)有工程、銷(xiāo)售、倉(cāng)儲(chǔ)及物流辦公室,包括臺(tái)北、香港、曼徹斯特、中國(guó)上海、深圳、南韓城南市以及德國(guó)慕尼黑,并于世界各地設(shè)有支持辦公室。
百利通亞陶晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)石英晶振,貼片晶振,溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

JLX-1

BLT-1

百利通亞陶晶振,貼片晶振,FHQ晶振.2520mm體積貼片晶振適用于汽車(chē)電子領(lǐng)域的表面貼片型石英晶振,本產(chǎn)品已被確定的高信賴(lài)性最適合用于汽車(chē)電子部件,晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,晶振本身具有耐熱,耐振,耐沖擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn).
百利通亞陶晶振的真空封裝技術(shù):是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生;2.使晶振組件在真空下電阻減??;3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。JLX-2

RB-2

亞陶晶振

單位

FHQ晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

12.000MHz~66.000MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C~+125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C~+85°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

100μW Max.

推薦:10μW~100μW

頻率公差

f_— l

±10× 10-6(標(biāo)準(zhǔn)),
(±10× 10-6~
±50 × 10-6可用)

+25°C對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://m.908tw.com

頻率溫度特征

f_tem

±30~±50× 10-6/-40°C~+85°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

7pF~32pF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C ~ +85°C,DL = 100μW

頻率老化

f_age

±3× 10-6/ year Max.

+25°C,第一年

JLX-3

RB-3

FHQ 2520

JLX-4

RB-4

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊
自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些進(jìn)口晶體振蕩器。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)產(chǎn)品特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
(1)陶瓷包裝產(chǎn)品與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振產(chǎn)品和SON產(chǎn)品 (MC-146,RTC-****NB,RX-****NB) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(2)陶瓷封裝產(chǎn)品
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接壓電陶瓷諧振器產(chǎn)品時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。
(3)柱面式產(chǎn)品
產(chǎn)品的玻璃部分直接彎曲引腳或用力拉伸引腳會(huì)導(dǎo)致在引腳根部發(fā)生密封玻璃分裂(開(kāi)裂),也可能導(dǎo)致氣密性和產(chǎn)品特性受到破壞。當(dāng)石英水晶振動(dòng)子產(chǎn)品的引腳需彎曲成下圖所示形狀時(shí),應(yīng)在這種場(chǎng)景下留出0.5mm的引腳并將其托住,以免發(fā)生分裂。當(dāng)該引腳需修復(fù)時(shí),請(qǐng)勿拉伸,托住彎曲部分進(jìn)行修正。在該密封部分上施加一定壓力,會(huì)導(dǎo)致氣密性受到損壞。所以在此處請(qǐng)不要施加壓力。另外,為避負(fù)機(jī)器共振造成引腳疲勞切斷,建議用粘著劑將產(chǎn)品固在定電路板上。

JLX-5

RB-5

設(shè)計(jì)振蕩回路的注意事項(xiàng)
1.驅(qū)動(dòng)能力
驅(qū)動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計(jì)算公式如下:
驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2_Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

sjzrhl_1

2.振蕩補(bǔ)償
除非在振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻,否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。

sjzrhl_2

3.負(fù)載電容
如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

sjzrhl_3

頻率和負(fù)載電容特征圖器

sjzrhl_4

振蕩回路參數(shù)設(shè)置參考

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