日本精工愛(ài)普生接受了中國(guó)蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)（Epson Toyocom）是精工愛(ài)普生株式會(huì)社與愛(ài)普生（中國(guó)）有限公司共同投資成立的有限責(zé)任公司（外商合資）.目前注冊(cè)資本2500萬(wàn)美金.現(xiàn)員工人數(shù):1500人.主要從事壓電石英晶體系列產(chǎn)品的生產(chǎn),投資初期主要生產(chǎn)32.768KHZ系列產(chǎn)品,從2009年起32.768K系列產(chǎn)品轉(zhuǎn)向馬來(lái)西亞量產(chǎn).蘇州愛(ài)普生工廠就以生產(chǎn)高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.

愛(ài)普生品牌系列千赫子的2520晶振,目前占據(jù)了中國(guó)市場(chǎng)進(jìn)口晶25％的份額,品牌質(zhì)量,貨期,品種,品質(zhì)是廣大用戶(hù)有目共睹,從MC-146晶振最早期從MP4,MP3收音機(jī)模塊啟用開(kāi)始,在到國(guó)內(nèi)外各大知名品牌手機(jī),最后應(yīng)用到國(guó)內(nèi)山寨手機(jī)市場(chǎng),幾乎占據(jù)80％的手機(jī)行業(yè)晶振類(lèi)別,產(chǎn)品本身特點(diǎn)是體積小,耐高溫,穩(wěn)定性能高,排帶包裝,應(yīng)用自動(dòng)貼片方便.愛(ài)普生晶振小體積SMD時(shí)鐘晶體諧振器,是貼片音叉晶體,千赫頻率元件,應(yīng)用于時(shí)鐘模塊,智能手機(jī),全球定位系統(tǒng),因產(chǎn)品本身體積小,SMD編帶型,可應(yīng)用于高性能自動(dòng)貼片焊接,被廣泛應(yīng)用到各種小巧的便攜式消費(fèi)電子數(shù)碼時(shí)間產(chǎn)品,環(huán)保性能符合ROHS/無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn).

EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振,石英晶振產(chǎn)品電極的設(shè)計(jì)：石英晶振產(chǎn)品的電極對(duì)于石英晶體元器件來(lái)講作用是1.改變頻率；2.往外界引出電極；3.改變電阻；4.抑制雜波。第1、2、3項(xiàng)相對(duì)簡(jiǎn)單，第4項(xiàng)的設(shè)計(jì)很關(guān)鍵，電極的形狀、尺寸、厚度以及電極的種類(lèi)(如金、銀等)都會(huì)導(dǎo)致第4項(xiàng)的變化。特別是隨著晶振的晶片尺寸的縮小對(duì)于晶片電極設(shè)計(jì)的形狀及尺寸和精度上都有更高的要求---公差大小、位置的一致性等對(duì)晶振產(chǎn)品的影響的程度增大，故對(duì)電極的設(shè)計(jì)提出了更精準(zhǔn)的要求。

小型貼片有源晶振,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),貼片高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線(xiàn)通訊,智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和各式IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

愛(ài)普生日產(chǎn)有源兆赫茲晶振型號(hào)列表：

Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
SG7050EBN	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG7050EBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
SG-210SCBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SCBA	49.090000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]	25°C Aging	Aging2	Symmetry
X1G0045110012	SG7050EBN	156.253906 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110601	SG7050EBN	156.250000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110602	SG7050EBN	125.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045110603	SG7050EBN	100.000000 MHz	7.00 x 5.00 x 1.70 mm	LV-PECL	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 55.0 mA	Included in Frequency tolerance 10 years		45 to 55 %
X1G0045910026	SG-210SCBA	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 3.0 mA	+/-3ppm		45 to 55 %
X1G004591A001	SG-210SCBA	27.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004591A002	SG-210SCBA	49.090000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %
X1G004591A003	SG-210SCBA	40.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.90 mm	CMOS	-40 to 125 °C	+/-100 ppm	≤ 4.0 mA	+/-3ppm		40 to 60 %

機(jī)械處理:當(dāng)2520晶振發(fā)生外置撞擊時(shí)，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時(shí)，或者產(chǎn)品不小心跌落時(shí)，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會(huì)導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。如果一個(gè)強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

如何正確的使用有源晶振電處理：將電源連接到有源石英晶振指定的終端，確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振，假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值，就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要，一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩，但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振，或者起不到最佳精度。

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗:負(fù)載電容與阻抗進(jìn)口晶振設(shè)置一個(gè)規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個(gè)值除了規(guī)定的一個(gè)設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會(huì)滿(mǎn)足時(shí)，指定的值這可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測(cè)量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測(cè)量?jī)x器的負(fù)載阻抗晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測(cè)量?jī)x器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測(cè)量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測(cè)量可以忽略。

振蕩補(bǔ)償:除非在貼片有源晶振振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。EPSON晶體,有源晶振,SG-210SCBA晶振,X1G0045910026晶振

如果振蕩電路中負(fù)載電容的不同，可能導(dǎo)致金屬面有源四腳晶體振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差，如下圖所示。電路中的負(fù)載電容的近似表達(dá)式 CL≒CG × CD / （CG+CD） + CS。其中CS表示電路的雜散電容。

振蕩電路:晶體諧振器是無(wú)源元件，因此受到小體積2520有源晶振電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線(xiàn)模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。

角色的分量與參考值:在超小貼片型石英晶體振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。（圖1）使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。